[發(fā)明專(zhuān)利]具有發(fā)射體層的發(fā)光器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010577775.0
• 申請(qǐng)日: 2016-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111739913A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A.勞施;D.屈恩萊因
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 歐司朗OLED股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元

本發(fā)明涉及具有發(fā)射體層的發(fā)光器件。在發(fā)光器件中，第一發(fā)射體材料具有至少一個(gè)第一激發(fā)狀態(tài)和第二激發(fā)狀態(tài)，其中第二激發(fā)狀態(tài)在能量上在第一激發(fā)狀態(tài)之上，并且在從第一發(fā)射體材料的第一激發(fā)狀態(tài)過(guò)渡到基本狀態(tài)的情況下發(fā)射第一電磁輻射，并且其中第二發(fā)射體材料具有至少一個(gè)激發(fā)狀態(tài)，其中在從第二發(fā)射體材料的激發(fā)狀態(tài)過(guò)渡到第二發(fā)射體材料的基本狀態(tài)的情況下發(fā)射第二電磁輻射；對(duì)第二發(fā)射體材料的激發(fā)狀態(tài)的占用借助從第一發(fā)射體材料的第二激發(fā)狀態(tài)到第二發(fā)射體材料的激發(fā)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)移來(lái)進(jìn)行，使得能夠從第一顯示區(qū)域發(fā)射由第一電磁輻射和第二電磁輻射組成的混合光，且從第二顯示區(qū)域所發(fā)射的光沒(méi)有第二電磁輻射。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?01680006688.1、申請(qǐng)日為2016-01-21、發(fā)明名稱(chēng)為“發(fā)光器件、用于制造發(fā)光器件的方法和用于運(yùn)行發(fā)光器件的方法”的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。本發(fā)明涉及發(fā)光器件、用于制造發(fā)光器件的方法和用于運(yùn)行發(fā)光器件的方法。

背景技術(shù)

在常規(guī)的有機(jī)發(fā)光器件、例如有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的情況下，在陽(yáng)極和陰極之間布置發(fā)射體層，在所述發(fā)射體層中生成電磁輻射。針對(duì)OLED的應(yīng)用例如是作為普通照明中的面光源、作為顯示器中的像點(diǎn)或背景照明或者用于在標(biāo)牌或顯示上表示信息（標(biāo)志應(yīng)用(Signage-Anwendung)）的使用。

在基于OLED的標(biāo)志應(yīng)用的情況下，在常見(jiàn)的方法中在構(gòu)造了OLED之后借助激光對(duì)發(fā)射體層進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，以便在OLED中表示信息。在另一常見(jiàn)方法的情況下，通過(guò)使用濃縮的光致抗蝕劑氣體（Resistgas）利用隨后的剝離圖案化（Lift-Off-Patterning）對(duì)發(fā)射體層進(jìn)行結(jié)構(gòu)化。在另一常見(jiàn)的方法情況下，借助部分地修改載流子從電極之一到發(fā)射體層中的注入能力來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的表示。在另一方法中，借助單獨(dú)成型的OLED元件的串聯(lián)來(lái)表示信息。

然而，常見(jiàn)的方法是比較成本密集的并且在技術(shù)上是要求高的，尤其是對(duì)于標(biāo)志應(yīng)用而言。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的任務(wù)是，提供發(fā)光器件、用于制造發(fā)光器件的方法和用于運(yùn)行發(fā)光器件的方法，利用所述發(fā)光器件能夠以可電切換的方式表示信息，并且所述發(fā)光器件能以技術(shù)上簡(jiǎn)單的方式被構(gòu)造。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過(guò)具有發(fā)射體層的發(fā)光器件解決所述任務(wù)，其中所述發(fā)射體層具有第一發(fā)射體材料和第二發(fā)射體材料。發(fā)射體層具有至少一個(gè)預(yù)先給定的第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域。第一顯示區(qū)域具有第一發(fā)射體材料和第二發(fā)射體材料，并且第二顯示區(qū)域具有第一發(fā)射體材料并且基本上沒(méi)有第二發(fā)射體材料。所述第一發(fā)射體材料具有至少一個(gè)第一激發(fā)狀態(tài)和第二激發(fā)狀態(tài)，其中所述第二激發(fā)狀態(tài)在能量上（energetisch）在第一激發(fā)狀態(tài)之上，并且在從第一發(fā)射體材料的第一激發(fā)狀態(tài)過(guò)渡到基本狀態(tài)的情況下發(fā)射第一電磁輻射。第二發(fā)射體材料具有至少一個(gè)激發(fā)狀態(tài)，其中在從第二發(fā)射體材料的激發(fā)狀態(tài)過(guò)渡到第二發(fā)射體材料的基本狀態(tài)的情況下發(fā)射第二電磁輻射。基本上借助從第一發(fā)射體材料的第二激發(fā)狀態(tài)到第二發(fā)射體材料的激發(fā)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)移進(jìn)行對(duì)第二發(fā)射體材料的激發(fā)狀態(tài)的占用（Besetzung），使得能夠從第一顯示區(qū)域發(fā)射由第一電磁輻射和第二電磁輻射組成的混合光，并且能夠從第二顯示區(qū)域發(fā)射的光基本上沒(méi)有第二電磁輻射。

換言之：第一發(fā)射體材料的第二激發(fā)狀態(tài)不由直接的電子空穴復(fù)合（Elektron-Loch-Rekombination）構(gòu)成。例如間接地、例如通過(guò)第一發(fā)射體材料的兩個(gè)相鄰的所激發(fā)的分子的三重態(tài)-三重態(tài)湮滅進(jìn)行對(duì)第一發(fā)射體材料的第二激發(fā)狀態(tài)的占用。由此部分地構(gòu)成第三激發(fā)狀態(tài)，所述第三激發(fā)狀態(tài)在能量上（energetisch）處于第二激發(fā)狀態(tài)之上，其中第三激發(fā)狀態(tài)通過(guò)能量轉(zhuǎn)移過(guò)渡到第二激發(fā)狀態(tài)。

激發(fā)狀態(tài)是在發(fā)光器件的通電的和不通電的狀態(tài)中的激發(fā)狀態(tài)。