[發(fā)明專利]可調(diào)控光學(xué)模態(tài)的雷射結(jié)構(gòu)的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010577650.8 | 申請日: | 2020-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN112993749A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊英杰 | 申請(專利權(quán))人: | 元光科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/183 | 分類號: | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113 | 代理人: | 何為;袁穎華 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市信*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 調(diào)控 光學(xué) 雷射 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種可調(diào)控光學(xué)模態(tài)的雷射結(jié)構(gòu)的制造方法,其至少包含下列步驟:
步驟一:在一基板上以蒸鍍、濺鍍或磊晶法成長一第一分布式布拉格反射鏡;
步驟二:在該第一分布式布拉格反射鏡上以蒸鍍、濺鍍或磊晶法成長一發(fā)光層;
步驟三:在該發(fā)光層上以蒸鍍、濺鍍或磊晶法成長一第二分布式布拉格反射鏡;以及
步驟四:在該第二分布式布拉格反射鏡上以蒸鍍、濺鍍或磊晶法成長單層或多層介電質(zhì)以形成一第三分布式布拉格反射鏡,并在該第三分布式布拉格反射鏡中央或周圍區(qū)域經(jīng)選擇性蝕刻出一開口結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)控光學(xué)模態(tài)的雷射結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述基板為半導(dǎo)體基板。
3.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)控光學(xué)模態(tài)的雷射結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述步驟四形成的該第三分布式布拉格反射鏡的介電質(zhì)晶層數(shù)目介于1-20之間。
4.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)控光學(xué)模態(tài)的雷射結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述步驟四在該第三分布式布拉格反射鏡中央?yún)^(qū)域被選擇性蝕刻的開口結(jié)構(gòu)的直徑范圍介于2-15μm之間。
5.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)控光學(xué)模態(tài)的雷射結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第三分布式布拉格反射鏡的介電質(zhì)晶層由氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氧化鋅、或氧化鎂的一種或幾種組成。
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