[發明專利]快速殺菌大接觸表面的氧化銅納米晶須材料

在審

• 申請號: 202010577160.8
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111807314A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 匡登峰;李文爽;楊卓
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/04;B81C1/00;B82Y5/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氧化銅納米晶須結構的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括如下步驟：

1)陰極電極的選擇；

2)于所述金屬銅襯底的上制備氧化銅納米晶須結構，電解液成分、含量的選擇；

3)于所述金屬銅襯底的上制備氧化銅納米晶須結構，陽極氧化時間、電壓的選擇；

4)利用步驟1)、2)、3)所選擇的襯底、電解液和實驗參數，在金屬銅襯底上制備氧化銅納米晶須結構，所述制備流程包括：

4-1)根據步驟2)選擇的電解液成分和含量配置電解液并進行充分攪拌；

4-2)將金屬銅和步驟1)選擇的陰極電極分別與直流電的正負極相連并浸沒在電解液中；

4-3)根據步驟3)選擇的陽極氧化時間、電壓制備氧化銅納米晶須結構。

2.根據權利要求1所述的一種氧化銅納米晶須結構的制備方法，其特征在于步驟1)中選擇陰極電極必須是比金屬銅更不活潑的材料，通常選用石墨電極或者鉑片電極。

3.根據權利要求1所述的一種氧化銅納米晶須結構的制備方法，其特征在于步驟2)對電解液的選擇，需要在通電情況下能與金屬銅發生反應，由于劇烈反應可能會導致氧化銅納米晶須結構無法形成，電解液通常選用中強酸或弱酸。

4.根據權利要求1所述的一種氧化銅納米晶須結構的制備方法，其特征在于步驟3)中對氧化電壓的選擇，電壓過強會使反應過于劇烈從而導致氧化銅納米晶須結構無法形成，氧化電壓通常在60V以下。

5.根據權利要求1所述的一種氧化銅納米晶須結構的制備方法，其特征在于步驟3)中對氧化時間的選擇，時間過長也會導致氧化銅納米晶須結構無法形成，氧化時間通常在1小時以下。