[發明專利]凸塊封裝結構和凸塊封裝結構的制作方法

在審

• 申請號: 202010577124.1
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111540721A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 何正鴻;孫杰
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉曾

1.一種凸塊封裝結構，其特征在于，包括：

基體；

設置在所述基體上的第一導電凸塊；

設置在所述第一導電凸塊上的第二導電凸塊，且所述第二導電凸塊的寬度大于所述第一導電凸塊的寬度；

設置在所述第二導電凸塊上的錫球；

其中，所述第二導電凸塊上開設有凹槽，所述錫球覆蓋在所述第二導電凸塊上并部分填充在所述凹槽中。

2.根據權利要求1所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述基體上還設置有蓋帽層，所述蓋帽層具有凸塊開口，所述第一導電凸塊設置在所述凸塊開口中，以使所述蓋帽層包覆在所述第一導電凸塊外。

3.根據權利要求2所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述蓋帽層由非導電材料形成。

4.根據權利要求1所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述凹槽延伸至所述第一導電凸塊，所述錫球部分填充在所述凹槽中并與所述第一導電凸塊相接觸。

5.根據權利要求1-4任一項所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述基體上還設置有具有開口的保護層，所述開口內設置有金屬墊，所述金屬墊上設置有金屬層，所述第一導電凸塊設置在所述金屬層上，以使所述第一導電凸塊與所述基體電連接。

6.根據權利要求5所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述金屬層包括設置在所述金屬墊上的第一導電部和設置在部分所述保護層上的第二導電部，所述第一導電凸塊設置在所述第一導電部上。

7.根據權利要求5所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述保護層由高分子介電材料形成。

8.根據權利要求5所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述金屬層包括Ti、TiN、TaN、Ta中至少一種材料。

9.根據權利要求1所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述錫球包括Sn、SnAg、SnAgCu中至少一種材料。

10.根據權利要求1所述的凸塊封裝結構，其特征在于，所述第一導電凸塊和所述第二導電凸塊均為銅柱。

11.一種凸塊封裝結構的制作方法，其特征在于，包括：

在基體上形成第一導電凸塊；

在所述第一導電凸塊上形成第二導電凸塊；

在所述第二導電凸塊上開槽，并形成凹槽；

在所述第二導電凸塊上植球，并形成錫球；

其中，所述第二導電凸塊的寬度大于所述第一導電凸塊的寬度，所述錫球覆蓋在所述第二導電凸塊上并部分填充在所述凹槽中。

12.根據權利要求11所述的凸塊封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述基體上形成第一導電凸塊的步驟，包括：

在所述基體表面涂保護層，并利用光刻工藝開口出金屬墊；

利用濺射工藝形成金屬層；

在所述金屬層上涂蓋帽層，并利用光刻工藝形成凸塊開口；

在所述凸塊開口內電鍍銅層，并形成所述第一導電凸塊。

13.根據權利要求12所述的凸塊封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述第一導電凸塊上形成第二導電凸塊的步驟，包括：

在所述第一導電凸塊上覆蓋圖案化的光感層，并利用光刻/蝕刻工藝形成過渡開口，并漏出所述第一導電凸塊；

在所述過渡開口內電鍍銅層，并形成所述第二導電凸塊。

14.根據權利要求13所述的凸塊封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述第二導電凸塊上開槽的步驟之后，還包括：

利用光刻/蝕刻工藝去除光感層和部分蓋帽層，并漏出所述金屬層；

利用蝕刻工藝去除部分所述金屬層。

15.根據權利要求11-14任一項所述的凸塊封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述第二導電凸塊上開槽的步驟，包括：

利用激光開槽工藝在所述第二導電凸塊上開設多個凹槽；

其中每個所述凹槽延伸至所述第一導電凸塊，以使所述錫球與所述第一導電凸塊相接觸。