[發明專利]一種多彩的BIPV薄膜太陽能電池的制備方法在審
| 申請號： | 202010577057.3 | 申請日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN111676459A | 公開（公告）日： | 2020-09-18 |
| 發明（設計）人： | 馬立云;姚婷婷;甘治平;李剛;沈洪雪;楊揚;彭賽奧;金克武;王天齊 | 申請（專利權）人： | 中建材蚌埠玻璃工業設計研究院有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/18;H01L31/0224;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陳俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多彩 bipv 薄膜 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種多彩的BIPV薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、取超白浮法玻璃作為玻璃基底，去除玻璃基底表面污物，并對玻璃基底表面進行活化；
S2、采掠射角磁控濺射工藝，在玻璃基底頂面沉積透明導電層，透明導電層作為
彩色功能層；彩色功能層由三層以上的薄膜構成復合膜層；
彩色功能層包含BZO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、IGZO薄膜、IZO薄膜的其中一種或兩種以上；
或者彩色功能層包含CTO、ZTO、ITO薄膜的其中一種或兩種以上；
彩色功能層中奇數膜層的折射率大于偶數膜層的折射率；
S3、采用磁控濺射工藝在彩色功能層頂面沉積緩沖層，緩沖層為CdS、ZnS或InS薄膜；
S4、采用磁控濺射工藝在緩沖層頂面沉積吸收層，吸收層為CdTe薄膜；
S5、采用磁控濺射工藝在吸收層頂面沉積背接觸層，背接觸層為Cu、Zn、Mo、Ti、Al、Ag或Au薄膜；
S6、采用磁控濺射工藝在背接觸層頂面沉積保護層，保護層為Au、Zn、Pt、Zr或Ti薄膜；得到多彩的BIPV薄膜太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的一種多彩的BIPV薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟S1超白浮法玻璃的底面呈凹凸的絨面結構。
3.根據權利要求1或2所述的一種多彩的BIPV薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟S2當彩色功能層采用BZO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、IGZO薄膜、IZO薄膜時，彩色功能層的總厚度為800～1300nm；
當彩色功能層采用CTO、ZTO、ITO薄膜時，彩色功能層的總厚度為650～750nm。
4.根據權利要求3所述的一種多彩的BIPV薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟S2所述掠射角磁控濺射工藝采用入射粒子流傾斜角度10°～80°，制備出納米柱傾斜角為5°～55°。
5.根據權利要求1所述的一種多彩的BIPV薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述緩沖層的厚度為20～130nm、吸收層的厚度為1300～2800nm、背接觸層的厚度為3～40nm、保護層的厚度為5～50nm。
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