[發明專利]利用可選擇的表面粘附轉移元件的轉移基底在審
| 申請號: | 202010576700.0 | 申請日: | 2020-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN112133660A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 王蘊達;S·雷喬杜利;J·盧 | 申請(專利權)人: | 帕洛阿爾托研究中心公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L33/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曹凌;王麗輝 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 可選擇 表面 粘附 轉移 元件 基底 | ||
1.一種設備,包括:
轉移基底,所述轉移基底包括兩個或更多個轉移元件,每個所述轉移元件包括:
粘附元件,所述粘附元件在第一溫度下具有第一表面粘附力并且在第二溫度下具有第二表面粘附力,所述第二表面粘附力小于所述第一表面粘附力;和
熱元件,所述熱元件可操作以響應于輸入而改變所述粘附元件的溫度;和
控制器,耦接所述控制器以向所述兩個或更多個轉移元件中的所述熱元件提供所述輸入,以響應于所述轉移元件的子集的所述第一表面粘附力與所述第二表面粘附力之間的變化,致使所述轉移元件的所述子集可選擇地將對象保持在所述轉移基底以及從所述轉移基底釋放所述對象。
2.根據權利要求1所述的設備,其中所述對象包括亞毫米電子器件。
3.根據權利要求1所述的設備,其中所述兩個或更多個轉移元件包括以介于1μm與1mm之間的節距間隔開的轉移元件陣列。
4.根據權利要求1所述的設備,其中所述粘附元件由包含丙烯酸硬脂基酯(SA)聚合物的多聚合物形成。
5.根據權利要求1所述的設備,其中所述第一溫度與所述第二溫度之間的差值小于20℃。
6.根據權利要求1所述的設備,其中所述熱元件包括加熱元件。
7.根據權利要求6所述的設備,其中所述加熱元件包括電阻加熱元件。
8.根據權利要求1所述的設備,其中所述熱元件包括冷卻元件。
9.根據權利要求1所述的設備,其中所述輸入包括電信號。
10.根據權利要求1所述的設備,其中所述輸入包括激光。
11.根據權利要求1所述的設備,其中所述轉移元件還包括在所述粘附元件與所述轉移基底之間的熱絕緣體。
12.根據權利要求1所述的設備,其中所述兩個或更多個轉移元件中的所述粘附元件包括覆蓋所有所述兩個或更多個轉移元件的連續層。
13.根據權利要求1所述的設備,其中所述粘附元件在所述第一溫度下發粘,而在所述第二溫度下為剛性。
14.根據權利要求1所述的設備,其中所述轉移元件在彎曲基底或輥上實現。
15.一種方法,包括:
向轉移基底上的多個轉移元件的子集施加第一輸入,所述多個轉移元件中的每一個具有熱元件和熱耦接到粘附元件的粘附元件,所述第一輸入致使所述轉移元件子集中的每個轉移元件達到第一溫度,以使得所述子集中每個轉移元件的每個粘附元件達到第一表面粘附力,其中不在所述子集中的其他轉移元件處于第二溫度下,所述第二溫度致使所述其他轉移元件中的每個粘附元件達到小于所述第一表面粘附力的第二表面粘附力;
致使至少所述轉移元件的所述子集接觸供體基底上多個對象中的對象的相應子集;
將所述轉移基底從所述供體基底移開,所述對象子集以所述第一表面粘附力粘附到所述轉移元件子集上,并且與所述轉移基底一起移動;
致使所述轉移基底上的所述對象子集接觸目標基底;以及
將所述對象子集從所述轉移基底轉移到所述目標基底。
16.根據權利要求15所述的方法,其中致使至少所述轉移元件的所述子集接觸所述相應對象子集包括:致使所有所述多個轉移元件接觸所述供體基底上的所有所述相應多個對象,并且其中被所述其他轉移元件接觸的其他對象不粘附到所述轉移基底并且不與所述轉移基底一起移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





