[發明專利]一種轉接板以及芯片封裝結構

在審

• 申請號: 202010576336.8
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN113903718A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 李樂琪;謝業磊;龐健;孫拓北
• 申請（專利權）人: 深圳市中興微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/552;H01L27/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

1.一種轉接板，其特征在于，包括：

至少一個信號傳輸孔；

至少一個絕緣介質隔離環，一所述絕緣介質隔離環包圍一所述信號傳輸孔；

至少一個反向偏置PN結隔離環，一所述反向偏置PN結隔離環環繞至少一個所述絕緣介質隔離環，所述反向偏置PN結隔離環包括由內向外的第一導電類型半導體環和第二導電類型半導體環，其中所述第二導電類型半導體環接偏置電位。

2.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，分布在所述反向偏置PN結隔離環環繞的空間內的所述信號傳輸孔的信號通道相互耦合。

3.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，所述信號傳輸孔均勻分布在所述反向偏置PN結隔離環環繞的空間內。

4.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，一所述反向偏置PN結隔離環環繞一個所述絕緣介質隔離環，所述信號傳輸孔和所述反向偏置PN結隔離環同軸設置。

5.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，所述第一導電類型包括N型，所述第二導電類型包括P型，所述第二導電類型半導體環接地。

6.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，還包括第一導電類型半導體襯底，所述第一導電類型半導體襯底設置有至少一個通孔和至少一個所述第二導電類型半導體環；

所述通孔內由外向內依次設置有絕緣介質材料和導電柱，所述絕緣介質材料構成所述絕緣介質隔離環，所述導電柱構成所述信號傳輸孔；

一所述第二導電類型半導體環環繞至少一個所述通孔，且和所述通孔間隔預設距離，所述通孔和所述第二導電類型半導體環之間的第一導電類型半導體襯底構成所述第一導電類型半導體環。

7.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，還包括至少一個防靜電器件，位于所述第一導電類型半導體環的表面，所述防靜電器件包括第一連接端和第二連接端，所述第一連接端通過導電互聯線連接至信號傳輸孔，所述第二連接端通過導電互聯線連接至所述第二導電類型半導體環。

8.根據權利要求7所述的轉接板，其特征在于，所述防靜電器件包括反向偏置二極管；所述反向偏置二極管的第一電極作為所述第一連接端通過導電互聯線連接至信號傳輸孔，所述反向偏置二極管的第二電極作為所述第二連接端通過導電互聯線連接至所述第二導電類型半導體環。

9.根據權利要求7所述的轉接板，其特征在于，所述防靜電器件包括金屬氧化物半導體場效應管；

所述金屬氧化物半導體場效應管的柵極作為所述第一連接端通過導電互聯線連接至信號傳輸孔，所述金屬氧化物半導體場效應管的源極或者漏極作為所述第二連接端通過導電互聯線連接至所述第二導電類型半導體環。

10.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，所述絕緣介質隔離環的材料包括氧化硅和/或氧化鋁。

11.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：

基板，所述基板上設置有至少一個焊盤；

轉接板位于所述基板的表面，所述轉接板如權利要求1-10任一所述的轉接板，一信號傳輸孔與一所述焊盤耦合連接；

芯片，所述芯片位于所述轉接板遠離所述基板的一側，所述芯片設置有連接焊盤，所述連接焊盤與所述信號傳輸孔耦合連接。