[發(fā)明專利]偏振片及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010575920.1
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111679356B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 郭康;馬嘯塵;張笑;路彥輝;谷新
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;G03F7/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

1.一種偏振片，其特征在于，包括：襯底和設置于所述襯底上的偏振層，所述偏振層包括沿第一方向延伸并沿第二方向間隔設置的多個條狀線柵和設置于相鄰所述條狀線柵之間的支撐條，所述支撐條與相鄰的所述條狀線柵連接，所述第一方向與所述第二方向交叉；

所述支撐條和所述條狀線柵由同一層構圖層形成；

在每個相鄰的所述條狀線柵之間，所述支撐條沿第二方向延伸并沿第一方向間隔設置，相鄰的所述支撐條之間的間距為100微米到1000微米；在所述第一方向上，所述支撐條的寬度為1微米到6微米；在所述第二方向上，所述條狀線柵的寬度為40納米到80納米。

2.根據權利要求1所述的偏振片，其特征在于：在垂直于所述襯底方向上，所述條狀線柵的高度大于或等于所述支撐條的高度。

3.根據權利要求1-2任一項所述的偏振片，其特征在于：所述第一方向與所述第二方向垂直。

4.根據權利要求1-2任一項所述的偏振片，其特征在于：在垂直于所述襯底方向上，所述條狀線柵的高度為100納米到300納米。

5.根據權利要求4所述的偏振片，其特征在于：所述條狀線柵的高寬比為1.25到7.5，所述高寬比為條狀線柵的高度與寬度的比值。

6.根據權利要求1-2任一項所述的偏振片，其特征在于：相鄰的所述條狀線柵之間的間距為40納米到80納米。

7.一種偏振片的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成偏振層，所述偏振層包括沿第一方向延伸并沿第二方向間隔設置的多個條狀線柵和設置于相鄰所述條狀線柵之間的支撐條，所述支撐條與相鄰的所述條狀線柵連接，所述第一方向與所述第二方向交叉；

所述支撐條和所述條狀線柵由同一層構圖層形成；

在每個相鄰的所述條狀線柵之間，所述支撐條沿第二方向延伸并沿第一方向間隔設置，相鄰的所述支撐條之間的間距為100微米到1000微米；在所述第一方向上，所述支撐條的寬度為1微米到6微米；在所述第二方向上，所述條狀線柵的寬度為40納米到80納米。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：在襯底上形成偏振層，包括：

在襯底上形成構圖層；

在所述構圖層上形成多個壓印條，多個所述壓印條沿第一方向延伸并沿第二方向間隔設置；

在多個所述壓印條和所述構圖層上形成多個犧牲條，多個所述犧牲條沿第二方向延伸并沿第一方向間隔設置；

通過刻蝕工藝刻蝕犧牲條以及未被所述壓印條與所述犧牲條覆蓋的構圖層；

剝離所述壓印條，形成偏振層，與所述壓印條對應位置的構圖層形成條狀線柵，與所述犧牲條對應位置的構圖層形成支撐條。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：在所述構圖層上形成多個壓印條，包括：

在所述構圖層上形成壓印層；

采用壓印方式在所述壓印層上形成壓印圖案，所述壓印圖案包括沿第一方向延伸并沿第二方向間隔設置的多個壓印條。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：在多個所述壓印條和所述構圖層上形成多個犧牲條，包括：

形成覆蓋多個所述壓印條的光刻膠層，采用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光，顯影后形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括沿第二方向延伸并沿第一方向間隔設置的多個光刻膠凹槽，所述光刻膠凹槽暴露出所述壓印條和所述構圖層；

形成覆蓋所述光刻膠層和所述光刻膠凹槽的犧牲薄膜；

剝離所述光刻膠層，使所述光刻膠凹槽內的犧牲薄膜形成犧牲條，所述犧牲條沿第二方向延伸并沿第一方向間隔設置。

11.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：在所述第一方向上，所述犧牲條的寬度為100微米到300微米，相鄰所述犧牲條之間的間距為100微米到1000微米。