[發明專利]一種新型側向pn結光電探測器

有效

• 申請號: 202010575846.3
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111668328B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 崔積適;王娟;崔文靜;陳洪敏
• 申請（專利權）人: 三明學院
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/103
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222
• 代理人: 楊唯

1.一種新型側向pn結光電探測器，其特征在于，所述新型側向pn結光電探測器的p型slab區和n型slab區的導通長度之比為1：2.7900～2.8400；其中，

所述新型側向pn結光電探測器的第一電極同所述p型slab區導通連接，所述新型側向pn結光電探測器的第二電極同所述n型slab區導通連接；所述新型側向pn結光電探測器的I-Si區設于所述p型slab區和所述n型slab區之間；所述新型側向pn結光電探測器的I-Ge區覆蓋于所述I-Si區，且所述I-Ge區的兩側分別延伸至所述p型slab區和所述n型slab區；

所述I-Ge區與所述p型slab區的貼合部為第一貼合區，所述I-Ge區與所述n型slab區的貼合部為第二貼合區；所述第一電極與所述p型slab區的貼合部為第三貼合區，所述第二電極與所述n型slab區的貼合部為第四貼合區；沿由所述第一電極指向所述第二電極的方向，所述p型slab區的導通長度為所述第一貼合區的中心位置與所述第三貼合區的中心位置之間的距離；所述n型slab區的導通長度為所述第二貼合區的中心位置與所述第四貼合區的中心位置之間的距離。

2.根據權利要求1所述的新型側向pn結光電探測器，其特征在于，所述新型側向pn結光電探測器的p型slab區和n型slab區的導通長度之比為1：2.8125。

3.根據權利要求1所述的新型側向pn結光電探測器，其特征在于，所述I-Ge區與所述p型slab區的貼合部為第一貼合區，所述I-Ge區與所述n型slab區的貼合部為第二貼合區；所述第一貼合區和所述第二貼合區二者面積相等。

4.根據權利要求1所述的新型側向pn結光電探測器，其特征在于，所述I-Ge區與所述p型slab區的貼合部為第一貼合區，所述I-Ge區與所述n型slab區的貼合部為第二貼合區；沿由所述第一電極指向所述第二電極的方向，所述第一貼合區和所述第二貼合區二者的長度相等。

5.根據權利要求1所述的新型側向pn結光電探測器，其特征在于，所述I-Ge區與所述p型slab區的貼合部為第一貼合區，所述I-Ge區與所述n型slab區的貼合部為第二貼合區；所述第一貼合區和所述第二貼合區均呈矩形。

6.根據權利要求1所述的新型側向pn結光電探測器，其特征在于，所述第一電極垂直于所述p型slab區設置，所述第二電極垂直于所述n型slab區設置。

7.根據權利要求1所述的新型側向pn結光電探測器，其特征在于，所述第一電極遠離所述p型slab區的一端朝遠離所述第二電極的一側延伸，所述第二電極遠離所述n型slab區的一端朝遠離所述第一電極的一側延伸。