[發(fā)明專利]一種用于半導(dǎo)體晶圓快速退火處理的加熱裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010574947.9 | 申請日： | 2020-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN111900104A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王鐵軍;江鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 閔岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 半導(dǎo)體 快速 退火 處理 加熱 裝置 | ||
1.一種用于半導(dǎo)體晶圓快速退火處理的加熱裝置，其特征在于，包括自上而下設(shè)置的石英材質(zhì)空腔(4)和石英臺(9)，且石英材質(zhì)空腔(4)和石英臺(9)之間夾持有熱電偶(12)；其中，
石英材質(zhì)空腔(4)上設(shè)置有石英空腔冷卻氣入口(5)和石英空腔冷卻氣出口(6)，石英臺(9)開設(shè)有冷卻水腔體，該冷卻水腔體設(shè)置有石英臺冷卻水入水口(7)和石英臺冷卻水出水口(8)，石英材質(zhì)空腔(4)的上表面以及石英臺(9)的下表面上均設(shè)置有若干石英燈加熱器主體(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于半導(dǎo)體晶圓快速退火處理的加熱裝置，其特征在于，該加熱裝置設(shè)置在石英材質(zhì)主體(10)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于半導(dǎo)體晶圓快速退火處理的加熱裝置，其特征在于，每個石英燈加熱器主體(3)均包括石英燈主體，鑲嵌在石英燈主體內(nèi)的石英燈加熱器(1)以及開設(shè)在石英燈主體背部的水冷槽(2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于半導(dǎo)體晶圓快速退火處理的加熱裝置，其特征在于，石英燈加熱器(1)靠近石英材質(zhì)空腔(4)或石英臺(9)設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于半導(dǎo)體晶圓快速退火處理的加熱裝置，其特征在于，使用時，待加熱試樣(11)安裝在石英臺(9)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于半導(dǎo)體晶圓快速退火處理的加熱裝置，其特征在于，石英燈加熱器(1)用于對待加熱試樣(11)進(jìn)行加熱，短時最高加熱溫度可達(dá)1800℃；石英燈背部的水冷槽為石英燈提供及時冷卻，保證石英燈加熱器(1)有較長的工作壽命；石英材質(zhì)空腔(4)在加熱結(jié)束后通入冷卻氣體，為待加熱試樣(11)提供快速冷卻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于半導(dǎo)體晶圓快速退火處理的加熱裝置，其特征在于，該加熱裝置的最大升降溫速率達(dá)200℃/s，溫控精度為±1℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
