[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010574927.1
• 申請(qǐng)日: 2020-06-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111900164B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔鍾武;金成基;高建峰;劉衛(wèi)兵;李俊杰;張?jiān)?/a>
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;真芯（北京）半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10B12/00
• 分類(lèi)號(hào): H10B12/00;H01L29/06
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底，具有由隔離結(jié)構(gòu)所定義出的有源區(qū)；埋入式字線(xiàn)，沿著第一方向延伸跨過(guò)所述有源區(qū)；埋入式位線(xiàn)，沿至少部分所述隔離結(jié)構(gòu)延伸，且延伸方向與所述第一方向相交；氣隙，位于相鄰的兩個(gè)所述埋入式字線(xiàn)之間。通過(guò)將埋入式位線(xiàn)形成在隔離結(jié)構(gòu)中，降低了位線(xiàn)?單元的耦合作用，改善了數(shù)據(jù)感測(cè)裕度，再者，本申請(qǐng)?jiān)谙噜彽穆袢胧阶志€(xiàn)之間形成氣隙，由于空氣的介電常數(shù)較小，這樣可以降低相鄰埋入式字線(xiàn)的耦合作用，達(dá)到降低了相鄰的有源區(qū)之間的行錘擊效應(yīng)，提高了半導(dǎo)體器件的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法。

背景技術(shù)

隨著DRAM單元尺寸(Cell Size)的減少,如圖1所示，位線(xiàn)11’-單元(Bit line-Cell)間的耦合(Coupling)引起數(shù)據(jù)感測(cè)裕度(Data Sensing Margin)問(wèn)題,導(dǎo)致字線(xiàn)-字線(xiàn)(Word line-Word line)之間耦合(Coupling)的可靠性問(wèn)題。在圖1所示的DRAM單元(Cell)結(jié)構(gòu)中,字線(xiàn)12’-字線(xiàn)12’(Word line-Word line)之間因耦合(Coupling)產(chǎn)生的干擾(Disturbance)及行錘擊效應(yīng)(Row Hammer Effect)引發(fā)了可靠性問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題。為此，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法，以提高現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的可靠性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)第一方面提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

襯底，具有由隔離結(jié)構(gòu)所定義出的有源區(qū)；

埋入式字線(xiàn)，沿著第一方向延伸跨過(guò)所述有源區(qū)；

埋入式位線(xiàn)，沿至少部分所述隔離結(jié)構(gòu)延伸，且延伸方向與所述第一方向相交；

氣隙，位于相鄰的兩個(gè)所述埋入式字線(xiàn)之間。

本申請(qǐng)第二方面提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

在襯底內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)，以定義出至少一個(gè)有源區(qū)；

在所述襯底中形成埋入式字線(xiàn)，所述埋入式字線(xiàn)沿著第一方向延伸并跨過(guò)所述有源區(qū)；

在所述隔離結(jié)構(gòu)中形成埋入式位線(xiàn)，所述埋入式位線(xiàn)沿至少部分所述隔離結(jié)構(gòu)延伸，且延伸方向與所述第一方向相交；

在所述襯底中形成氣隙，且所述氣隙位于相鄰的兩個(gè)所述埋入式字線(xiàn)之間。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對(duì)本申請(qǐng)的限制。而且在整個(gè)附圖中，用相同的參考符號(hào)表示相同的部件。在附圖中：

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面示意圖；

圖2示出了本申請(qǐng)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分陣列布局圖；

圖3是沿著圖2的A-A’方向的剖視圖，示出了在襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)后的結(jié)構(gòu)；

圖4是沿著圖2的B-B’方向的剖視圖，示出了在隔離結(jié)構(gòu)中形成埋入式位線(xiàn)后的結(jié)構(gòu)；

圖5示出了在圖3形成埋入式字線(xiàn)后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6示出了在圖4上形成位線(xiàn)接觸件14后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7示出了沿著圖2的A-A’方向的剖視圖，示出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖8示出了沿著圖2的B-B’方向的剖視圖，示出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式