[發明專利]一種直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法及其應用

在審

• 申請號: 202010574810.3
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111804317A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 張璋;劉元武;李婧;張穎;汪敏捷;黃文添
• 申請（專利權）人: 肇慶市華師大光電產業研究院
• 主分類號: B01J27/185
• 分類號: B01J27/185;B01J35/00;B01J37/10;B01J37/28;C25B11/06
• 代理公司: 廣州正明知識產權代理事務所(普通合伙) 44572
• 代理人: 張麗

1.一種直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、水熱法在導電基底表面生長磷化鈷納米線前驅體；

S2、S1得到的磷化鈷納米線前驅體經磷化反應得到磷化鈷納米線電催化劑；

其中，步驟S1水熱法的原料為六水合硝酸鈷，尿素和氟化銨，所述六水合硝酸鈷，尿素和氟化銨的摩爾比為5：20：6。

2.根據權利要求1所述的直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法，其特征在于，所述導電基底為FTO和碳布。

3.根據權利要求2所述的直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法，其特征在于，所述導電基底在進行水熱反應前進行預處理。

4.根據權利要求3所述的直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法，其特征在于，所述預處理包括清洗和烘干，所述清洗是將導電基底依次在丙酮、乙醇、去離子水中超聲10～20min，超聲功率為180W，頻率為40KHz。

5.根據權利要求4所述的直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法，其特征在于，步驟S1操作為：將導電基底斜靠在反應釜內，將反應釜放入烘箱中進行水熱反應，反應溫度為110～150℃，反應時間為3～8h。

6.根據權利要求5所述的直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法，其特征在于，步驟S2的反應在管式爐中進行，磷化的原料為次磷酸鈉，其摩爾數與六水合硝酸鈷相同，磷化反應溫度為300～350℃，保持120～180min，磷化結束后自然冷卻到室溫。

7.根據權利要求6所述的直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法，其特征在于，磷化反應過程中，按照2～5℃/min將管式爐升溫至300℃。

8.一種電催化電極，其特征在于，所述電極包括權利要求1至7任一項所述方法得到的直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑。

9.權利要求1至7任一項所述方法得到的直接在導電基底上生長高密度磷化鈷納米線電催化劑的方法得到的磷化鈷納米線電催化劑。

10.權利要求9所述的磷化鈷納米線電催化劑在電催化方面的應用。