[發明專利]III族氮化物層疊體在審
| 申請號： | 202010574561.8 | 申請日： | 2020-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN112133745A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | 田中丈士;磯野僚多 | 申請（專利權）人： | 賽奧科思有限公司;住友化學株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | iii 氮化物 層疊 | ||
【權利要求書】：
1.一種III族氮化物層疊體，其具有：
基板，其由碳化硅構成；
第1層，其由氮化鋁構成，且形成在所述基板上；
第2層，其由氮化鎵構成，且形成在所述第1層上；以及
第3層，其由III族氮化物構成，且形成在所述第2層上，所述III族氮化物的電子親和力小于構成所述第2層的氮化鎵，
所述第2層的厚度低于500nm，
所述第2層包含的鐵的濃度低于1×1017/cm3，
所述第2層包含的碳的濃度低于1×1017/cm3。
2.根據權利要求1所述的III族氮化物層疊體，其中，所述第2層的厚度為100nm以上。
3.根據權利要求1或2所述的III族氮化物層疊體，其中，所述第2層的電子遷移率為1500cm2/Vs以上。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的III族氮化物層疊體，其具有設置在所述第3層的上方的電極，
所述III族氮化物層疊體被用作高電子遷移率晶體管。
5.根據權利要求4所述的III族氮化物層疊體，其中，所述高電子遷移率晶體管中的泄漏電流為1×10-5A/mm以下，所述泄漏電流是通過在對所述高電子遷移率晶體管的柵電極施加負電壓而使其為斷開狀態后，在源電極和漏電極間施加50V的電壓而測定的。
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