[發明專利]限制層結構及其制作方法、半導體激光器及其制作方法

有效

• 申請號: 202010574282.1
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111682403B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 程洋;王俊;譚少陽;廖新勝;潘華東;李泉靈
• 申請（專利權）人: 蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司
• 主分類號: H01S5/20
• 分類號: H01S5/20;H01S5/22
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 張樂樂

1.一種用于半導體激光器的限制層結構，其特征在于，包括：

間隔分布的若干介質掩膜塊；以及

在所述若干介質掩膜塊之間間隙生成的限制層，所述限制層采用砷化鎵層。

2.根據權利要求1所述用于半導體激光器的限制層結構，其特征在于，所述介質掩膜塊的上表面的總面積和所述砷化鎵層的上表面的總面積之比為0.2-1.5。

3.根據權利要求1所述的用于半導體激光器的限制層結構，其特征在于，每個所述介質掩膜塊大小相同，并且均勻交錯排布。

4.根據權利要求1所述的用于半導體激光器的限制層結構，其特征在于，所述介質掩膜塊的厚度與所述砷化鎵層的厚度一致。

5.根據權利要求1-4任一項所述的用于半導體激光器的限制層結構，其特征在于，所述砷化鎵層替換為砷磷化鋁鎵銦層，所述砷磷化鋁鎵銦層中銦組分小于等于5％，鋁組分小于等于5％，磷組分小于等于5％。

6.一種權利要求1-5任一項所述的用于半導體激光器的限制層結構的制作方法，其特征在于，包括：

沉積介質層，并對所述介質層進行刻蝕處理，得到間隔分布的若干介質掩膜塊；

在所述間隔分布的若干介質掩膜塊之間的間隙生長限制層，得到所述限制層結構。

7.一種半導體激光器，其特征在于，包括權利要求1-5中任一項所述的用于半導體激光器的限制層結構。

8.根據權利要求7所述的半導體激光器，其特征在于，還包括：位于所述限制層結構下方的砷化鎵蓋層，用于保護位于所述砷化鎵蓋層下方的功能層。

9.一種半導體激光器的制作方法，其特征在于，包括：

采用權利要求6-8中任一項所述的用于半導體激光器的限制層結構的制作方法生成所述半導體激光器的限制層結構。

10.根據權利要求9所述的半導體激光器的制作方法，其特征在于，在制備所述限制層結構之前包括：

在半導體激光器結構上生長蓋層。