[發(fā)明專利]一種基于CuAlO2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010574078.X
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111668326B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 胡繼超;李丹丹
• 申請（專利權）人: 三立智能電氣有限公司
• 主分類號: H01L31/0336
• 分類號: H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 韓玙

1.一種CuAlO₂/SiC紫外光電二極管，其特征在于，包括頂電極(1)和底電極(5)，兩電極之間由頂電極(1)向底電極(5)方向依次設置有P型晶體CuAlO₂薄膜(2)、I型SiC薄膜(3)和N型SiC襯底(4)。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種CuAlO₂/SiC紫外光電二極管，其特征在于，所述頂電極(1)和底電極(5)材料為Au、Al、Ni、Cu、Pb金屬材料中的一種或任意幾種的混合物，或者為包含上述任意幾種混合金屬材料的合金，或者ITO導電性化合物。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種CuAlO₂/SiC紫外光電二極管，其特征在于，所述N型SiC襯底(4)為摻氮的SiC材料；I型SiC薄膜為非故意摻雜的SiC層，摻雜濃度為10¹⁵cm^-3。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種CuAlO₂/SiC紫外光電二極管，其特征在于，所述P型晶體CuAlO₂薄膜(2)摻雜濃度為10¹⁷～10¹⁸cm^-3。

5.一種CuAlO₂/SiC紫外光電二極管的制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟實施：

步驟1、對N型SiC襯底(4)進行清洗，清洗后吹干待用；

步驟2、在所述步驟1清洗后的N型SiC襯底(4)上進行本征SiC同質外延層生長；

步驟3、在所述步驟2得到的本征SiC同質外延層上進行P型晶體CuAlO₂異質外延層生長；

步驟4、在所述步驟3得到的P型晶體CuAlO₂異質外延層上制作頂電極；

步驟5、對所述N型SiC襯底(4)下表面制作底電極(5)，最終形成CuAlO₂/SiC紫外光電二極管。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種CuAlO₂/SiC紫外光電二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟1中清洗流程為：依次使用清洗液、氫氟酸、酒精、去離子水逐步對樣品進行清洗。

7.根據(jù)權利要求5所述的一種CuAlO₂/SiC紫外光電二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟2中N型SiC襯底(4)上進行本征SiC同質外延層生長時，利用化學氣相沉積設備，以硅烷作為Si源氣體，丙烷作為C源氣體，用氫氣作為載氣，其中，氫氣流量為40-60slm，C/Si比為1.0-1.5，生長溫度為1520℃～1600℃，生長時間為2-5min。