[發明專利]半導體工藝設備及其工藝腔室

有效

• 申請號: 202010573946.2
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111725106B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 周坤玲
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本申請實施例提供了一種半導體工藝設備及其工藝腔室。該工藝腔室包括：腔室本體、固定內襯及活動內襯；腔室本體的側壁上開設有傳片口；固定內襯設置于腔室本體內，且環繞側壁設置，用于遮蔽側壁，固定內襯上對應于傳片口的位置設置有缺口；活動內襯設置于腔室本體內，活動內襯能相對于固定內襯移動以閉合或開啟缺口。本申請實施例通過在腔室本體內增加內襯，隔離了等離子體和工藝腔室內壁，有效的解決了60兆赫頻率的介質刻蝕設備的工藝腔室內壁被嚴重刻蝕的問題，而且無需在上電極組件上設置有升降機構，不僅有效降低上電極組件的重量，而且大幅降低工藝腔室開合蓋的難度。

技術領域

本申請涉及半導體加工技術領域，具體而言，本申請涉及一種半導體工藝設備及其工藝腔室。

背景技術

目前，60兆赫(Mega?Hertz，MHz)頻率的介質刻蝕設備產生的等離子體對工藝腔室內壁刻蝕很嚴重，需要設置內襯結構保護工藝腔室內壁。常見的2MHz、13.56MHz及40MHz頻率的介質刻蝕設備的內襯結構不能滿足60MHz頻率的介質刻蝕設備對于等離子體的約束能力。為了解決上述問題，需要設置側襯保護工藝腔室的內壁，設置底襯約束等離子體，側襯和底襯共同組成了內襯結構。為了提高側襯的耐刻蝕能力及約束電流路徑，一般選用石英材料；為了起到約束等離子體同時屏蔽電磁場的作用，底襯一般選用金屬材料。但是現有技術中，上電極組件在工藝腔室開合蓋的過程中，容易與側襯發生摩擦及碰撞導致側襯碎裂，嚴重影響刻蝕工藝效率；并且由于圓環形側襯影響傳片的實現，現有技術中采用的解決辦法是把側襯升至上電極組件之后，再進行開合蓋動作，但是由于需要在上電極組件設置側襯升降機構，增加了上電極組件的重量和復雜程度，不利于工藝腔室開合蓋。

發明內容

本申請針對現有方式的缺點，提出一種半導體工藝設備及其工藝腔室，用以解決現有技術存在上電極組件重量較大且結構較為復雜的技術問題，便于實現工藝腔室開合蓋。

第一個方面，本申請實施例提供了一種半導體工藝設備的工藝腔室，包括：腔室本體、固定內襯及活動內襯；所述腔室本體的側壁上開設有傳片口；所述固定內襯設置于所述腔室本體內，且環繞所述側壁設置，用于遮蔽所述側壁，所述固定內襯上對應于所述傳片口的位置設置有缺口；所述活動內襯設置于所述腔室本體內，所述活動內襯能相對于所述固定內襯移動以閉合或開啟所述缺口。

于本申請的一實施例中，所述缺口沿所述固定內襯的軸向延伸設置，所述活動內襯能相對所述固定內襯作升降運動。

于本申請的一實施例中，所述固定內襯包括固定底板及固定側板，所述固定底板呈圓環板狀，環繞所述工藝腔室內的下電極組件設置，與所述下電極組件和/或所述側壁固定連接；所述固定側板呈圓筒狀，所述固定側板的底部固定連接于所述固定底板上；所述缺口包括開設于所述固定底板上的底板缺口，以及開設于所述固定側板上的側板缺口。

于本申請的一實施例中，所述活動內襯的包括活動底板、活動側板及升降機構，所述活動底板的形狀與所述底板缺口的形狀適配，所述活動側板的形狀與所述側板缺口的形狀適配，所述活動側板設置于所述活動底板上，所述升降機構與所述活動底板連接，用于驅動所述活動底板升降。

于本申請的一實施例中，所述固定底板與所述下電極組件之間具有間隙，所述活動底板與所述固定底板之間具有間隙；所述固定側板與所述工藝腔室內的上電極組件之間具有間隙，所述活動側板與所述固定側板之間具有間隙；各所述間隙的深寬比均大于預設閾值。

于本申請的一實施例中，所述固定底板及所述活動底板均為導電材質，所述固定側板及所述活動側板均為絕緣材質。

于本申請的一實施例中，所述固定底板上開設有徑向柵格，所述徑向柵格的深寬比大于預設閾值。

于本申請的一實施例中，所述側板缺口由所述固定側板的底端向頂端延伸設置，且未貫穿至所述固定側板的頂端。

第二個方面，本申請實施例提供了一種半導體工藝設備，包括如第一個方面提供的半導體工藝設備的工藝腔室。