[發(fā)明專(zhuān)利]一種超雙疏材料及其制備方法以及超雙疏表面涂層的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010573563.5
• 申請(qǐng)日: 2020-06-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111908480A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧旭;王德輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 成都普界科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C01B33/18
• 分類(lèi)號(hào): C01B33/18;C09D1/00
• 代理公司: 成都正華專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 51229
• 代理人: 李亞男

1.一種超雙疏材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將基底置于含碳源的火焰上灼燒，以在基底灼燒面聚集沉積一層碳納米顆粒；

(2)在所述碳納米顆粒表面化學(xué)沉積一層二氧化硅殼后，再將包裹在所述二氧化硅殼內(nèi)的碳納米顆粒去除，得到空心納米二氧化硅聚集體，經(jīng)低表面能處理后，得到超雙疏材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超雙疏材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述碳納米顆粒聚集的涂層厚度為0.1um-20mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超雙疏材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中的火焰來(lái)源于木材、液體石蠟、固體石蠟、燃油、液化氣或天然氣燃燒的火焰。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的超雙疏材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)中化學(xué)沉積的方法為氣相沉積或溶液法的Stober反應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超雙疏材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)中納米二氧化硅空心球聚集體的厚度為5-100nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超雙疏材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)中去除碳納米顆粒的具體過(guò)程為：將生長(zhǎng)有二氧化硅殼的碳納米顆粒在500-1200℃下煅燒1-10h；

或，用等離子體將生長(zhǎng)有二氧化硅殼的碳納米顆粒在10-1000w處理1-60min。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超雙疏材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)還包括：在所述納米二氧化硅空心球聚集體上通過(guò)化學(xué)氣相沉積法接枝全氟硅烷。

8.權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制得的超雙疏材料。

9.一種超雙疏表面涂層的制備方法，其特征在于，采用權(quán)利要求8所述的超雙疏材料，包括以下步驟：

直接將沉積有碳納米顆粒的的基底通過(guò)溶液法或氣相沉積法生長(zhǎng)二氧化硅后，再進(jìn)行氟化處理，直接在基底表面制得超雙疏涂層；

或，將已碳納米顆粒為模版的空心納米二氧化硅超雙疏材料配置成懸浮液，噴涂到任意基材表面后，在基材表面制得超雙疏表面涂層。