[發(fā)明專(zhuān)利]顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010573497.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111768701B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王威;黃情 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G09F9/30 | 分類(lèi)號(hào): | G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板,在彎折區(qū)設(shè)置疊加的凹槽結(jié)構(gòu),并且在凹槽結(jié)構(gòu)中填充有機(jī)層,在彎折的時(shí)候,可以承受更大的應(yīng)力,進(jìn)而保護(hù)彎折區(qū)的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)。并且在刻蝕凹槽結(jié)構(gòu)的時(shí)候,通過(guò)在凹槽結(jié)構(gòu)的下方分別設(shè)置刻蝕阻擋子層,既可以對(duì)凹槽結(jié)構(gòu)定量刻蝕,也可以保護(hù)下層結(jié)構(gòu)。并且在制備刻蝕阻擋子層的時(shí)候,可以分別與顯示區(qū)的金屬膜層一同制備,不必增加多余的制備工序。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種顯示面板。
背景技術(shù)
柔性顯示采用柔軟可彎曲的塑料基板,非常適合窄邊框顯示設(shè)備的制作。因?yàn)轱@示面板的四周外圍區(qū)可以采取彎曲或折疊的方式,將其置于屏幕側(cè)方或下方。從而減小正面區(qū)域內(nèi)非顯示區(qū)的占比,實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)。舉例說(shuō)明如下:柔性顯示面板可以采用COP工藝(chip on panel),將外圍金屬走線(xiàn)采用陣列基板工藝直接制作在柔性基板上,可以省去柔性電路板。同時(shí)在訊號(hào)走線(xiàn)區(qū)設(shè)計(jì)一個(gè)彎折區(qū),從而將訊號(hào)走線(xiàn)區(qū)和驅(qū)動(dòng)芯片區(qū)折疊置于顯示區(qū)側(cè)方或下方。從而實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)。
由于彎折區(qū)需要實(shí)現(xiàn)較小曲率半徑,由于金屬走線(xiàn)下方存在大量的的膜層堆疊結(jié)構(gòu),彎折區(qū)信號(hào)走線(xiàn)位于應(yīng)力中性面上方,彎曲時(shí)將受到很大的拉應(yīng)力,為了減小應(yīng)力,需要在工藝中將彎折區(qū)金屬走線(xiàn)下方的無(wú)機(jī)膜層完全/部分移除,并填充有機(jī)膜層。
因此,急需提供一種新的顯示面板,可以解決現(xiàn)有技術(shù)中彎折區(qū)承受應(yīng)力較小的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是,提供一種顯示面板,在彎折區(qū)設(shè)置疊加的凹槽結(jié)構(gòu),形成一連續(xù)的凹槽結(jié)構(gòu),并且在凹槽結(jié)構(gòu)中填充有機(jī)層,在彎折的時(shí)候,可以承受更大的應(yīng)力,進(jìn)而保護(hù)彎折區(qū)的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)。
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種顯示面板,包括:襯底基板,包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)包括一彎折子區(qū);驅(qū)動(dòng)電路層,設(shè)置在所述襯底基板上;其中,在所述彎折子區(qū),所述驅(qū)動(dòng)電路層中設(shè)有至少一刻蝕阻擋子層以及第一凹槽以及第二凹槽,所述刻蝕阻擋子層具有一開(kāi)口且設(shè)于所述第一凹槽上,所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)所述第一凹槽,所述第二凹槽設(shè)于所述刻蝕阻擋子層以及所述開(kāi)口上,所述第一凹槽、所述第二凹槽以及所述開(kāi)口填充一有機(jī)層。
進(jìn)一步地,所述驅(qū)動(dòng)電路層包括:緩沖子層,設(shè)于所述襯底基板的一側(cè);有源子層,設(shè)于所述緩沖子層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);第一絕緣子層,設(shè)于所述有源子層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)且覆蓋緩沖子層;第一金屬子層,設(shè)于所述第一絕緣子層遠(yuǎn)離有源子層的一側(cè);第二絕緣子層,設(shè)于所述第一金屬子層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)且覆蓋所述第一絕緣子層;第二金屬子層,設(shè)于所述第二絕緣子層遠(yuǎn)離所述第一金屬子層的一側(cè);層間絕緣子層,設(shè)置在所述第二金屬子層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)且覆蓋所述第二絕緣子層。
進(jìn)一步地,在所述彎折子區(qū),所述驅(qū)動(dòng)電路層包括至少兩層刻蝕阻擋子層,相鄰的兩個(gè)刻蝕阻擋子層之間具有一間隙且在所述襯底基板的投影重疊,遠(yuǎn)離所述襯底基板的刻蝕阻擋子層的開(kāi)口寬度大于靠近所述襯底基板的刻蝕阻擋子層的開(kāi)口寬度。
進(jìn)一步地,所述刻蝕阻擋子層為第一刻蝕阻擋子層,所述第一刻蝕阻擋子層由所述有源子層、所述第一金屬子層、所述第二金屬子層中的任意一層在所述彎折子區(qū)制備形成。
進(jìn)一步地,所述刻蝕阻擋子層包括第一刻蝕阻擋子層和第二刻蝕阻擋子層,所述第一刻蝕阻擋子層和第二刻蝕阻擋子層分別由所述有源子層、所述第一金屬子層、所述第二金屬子層中任意兩層在所述彎折子區(qū)制備形成。
進(jìn)一步地,所述刻蝕阻擋子層包括第一刻蝕阻擋子層、第二刻蝕阻擋子層、以及第三刻蝕阻擋子層,所述第一刻蝕阻擋子層、第二刻蝕阻擋子層、以及第三刻蝕阻擋子層分別由所述有源子層、所述第一金屬子層以及所述第二金屬子層在所述彎折子區(qū)制備。
進(jìn)步一步地,所述彎折區(qū)具有一連接線(xiàn),所述連接線(xiàn)的兩個(gè)端點(diǎn)分別為所述第一凹槽的下底的一端與所述第二凹槽上底的一端,所述連接線(xiàn)與所述基板具有一夾角,所述夾角的角度為0~45°。
進(jìn)一步地,所述有機(jī)層的材料包括聚酰亞胺及有機(jī)光阻。
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