[發(fā)明專利]硅基電光調制器摻雜結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010573470.2 | 申請日： | 2020-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN113900279A | 公開（公告）日： | 2022-01-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 唐偉杰;曹偉杰;儲濤 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | G02F1/017 | 分類號： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 石茵汀 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電光 調制器 摻雜 結構 | ||
1.一種硅基電光調制器摻雜結構，其特征在于，包括：
第一摻雜區(qū)域、第二摻雜區(qū)域、第三摻雜區(qū)域和第四摻雜區(qū)域；
所述第一摻雜區(qū)域與所述第二摻雜區(qū)域摻雜類型相同，所述第二摻雜區(qū)域與所述第三摻雜區(qū)域摻雜類型相反，所述第三摻雜區(qū)域與所述第四摻雜區(qū)域摻雜類型相同；
所述第二摻雜區(qū)域與所述第三摻雜區(qū)域的接觸面交錯形成周期性結構，通過微波信號的幅度調整所述周期性結構。
2.根據權利要求1所述的硅基電光調制器摻雜結構，其特征在于，
所述第一摻雜區(qū)域與所述第二摻雜區(qū)域摻雜類型為P型，所述第一摻雜區(qū)域為P型重摻雜區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)域為P型輕摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域設置在所述第二摻雜區(qū)域上方；
所述第二摻雜區(qū)域設置在所述第三摻雜區(qū)域上方；
所述第三摻雜區(qū)域與所述第四摻雜區(qū)域摻雜類型為N型，所述第三摻雜區(qū)域為N型輕摻雜區(qū)域，所述第四摻雜區(qū)域為N型重摻雜區(qū)域，所述第三摻雜區(qū)域設置在所述第四摻雜區(qū)域上方。
3.根據權利要求1所述的硅基電光調制器摻雜結構，其特征在于，
所述第一摻雜區(qū)域與所述第二摻雜區(qū)域摻雜類型為N型，所述第一摻雜區(qū)域為N型重摻雜區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)域為N型輕摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域設置在所述第二摻雜區(qū)域上方；
所述第二摻雜區(qū)域設置在所述第三摻雜區(qū)域上方；
所述第三摻雜區(qū)域與所述第四摻雜區(qū)域摻雜類型為P型，所述第三摻雜區(qū)域為P型輕摻雜區(qū)域，所述第四摻雜區(qū)域為P型重摻雜區(qū)域，所述第三摻雜區(qū)域設置在所述第四摻雜區(qū)域上方。
4.根據權利要求1所述的硅基電光調制器摻雜結構，其特征在于，
所述周期性結構為矩形分布的周期性結構。
5.根據權利要求1所述的硅基電光調制器摻雜結構，其特征在于，
所述周期性結構為鋸齒形分布的周期性結構。
6.根據權利要求1所述的硅基電光調制器，其特征在于，
所述周期性結構為三角函數變化類型的周期性結構。
7.根據權利要求1所述的硅基電光調制器摻雜結構，其特征在于，所述微波信號的幅度大小與所述第二摻雜區(qū)域與第三摻雜區(qū)域的接觸面的接觸面積成反比。
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