[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010573298.0
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111769138B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁超;劉旭陽
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H10K59/12
• 分類號: H10K59/12;H10K71/00;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

一種陣列基板，包括層疊設(shè)置的柔性基板、阻擋層及緩沖層。所述陣列基板還包括:半導(dǎo)體層，位于所述緩沖層上，包括兩個源/漏極及位于所述兩個源/漏極間的通道區(qū)；第一柵絕緣層，位于所述半導(dǎo)體層與所述緩沖層上；第一柵極，位于所述第一柵絕緣層上；層間介電層，位于所述第一柵極及所述第一柵絕緣層上，包括對應(yīng)所述第一柵極而設(shè)置的凹槽；兩個接觸孔，形成于所述層間介電層及所述第一柵絕緣層內(nèi)，分別露出所述兩個源/漏極之一；以及多個金屬層，設(shè)置于所述層間介電層上，對應(yīng)于所述兩個接觸孔及所述凹槽，其中對應(yīng)于所述兩個接觸孔設(shè)置的所述金屬層具有第一頂面，而對應(yīng)于所述凹槽設(shè)置的所述金屬層具有低于所述第一頂面的第二頂面。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示裝置領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)與有機發(fā)光二極管顯示器(Organic?Light?Emitting?Diode，OLED)等平板顯示技術(shù)已經(jīng)成為研究和開發(fā)的主要領(lǐng)域。其中，OLED具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180度視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

按照驅(qū)動類型，OLED可分為無源OLED(PMOLED)和有源?OLED(AMOLED)。其中，AMOLED通常是由低溫多晶硅(Low?Temperature?Poly-Silicon，LTPS)驅(qū)動背板和電激發(fā)光層組成自發(fā)光組件。對AMOLED而言，低溫多晶硅具有較高的電子遷移率，故采用低溫多晶硅材料具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開口率、低能耗等優(yōu)點。

AMOLED通常采用包括薄膜晶體管(TFT)的陣列基板，而TFT的制造牽涉到多道光掩膜(photo?mask)的使用。若使用光掩膜的數(shù)量越多，TFT的整體工藝流程越長，難度越大，成本越高。因此，如何在保證陣列性能不變的同時減少制造TFT的光掩膜的數(shù)量是后續(xù)AMOLED制造中降低成本的重要方向之一。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，簡化現(xiàn)有的陣列基板的工藝流程，減少制作難度，及節(jié)約成本。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括層疊設(shè)置的柔性基板、阻擋層及緩沖層。所述陣列基板包括:

半導(dǎo)體層，位于所述緩沖層上，包括兩個源/漏極及位于所述兩個源/漏極間的通道區(qū)；

第一柵絕緣層，位于所述半導(dǎo)體層與所述緩沖層上；

第一柵極，位于所述第一柵絕緣層上，所述第一柵極在所述柔性基板上的垂直投影完全落入所述半導(dǎo)體層的所述通道區(qū)在所述柔性基板上的垂直投影內(nèi)；

層間介電層，位于所述第一柵極及所述第一柵絕緣層上，包括對應(yīng)所述第一柵極而設(shè)置的凹槽；

兩個接觸孔，形成于所述層間介電層及所述第一柵絕緣層內(nèi)，分別露出所述兩個源/漏極之一；以及

多個金屬層，設(shè)置于所述層間介電層上，對應(yīng)于所述兩個接觸孔及所述凹槽，其中對應(yīng)于所述兩個接觸孔設(shè)置的所述金屬層填滿所述接觸孔且具有第一頂面，而對應(yīng)于所述凹槽設(shè)置的所述金屬層具有低于所述第一頂面的第二頂面。

在一些實施例中，所述多個金屬層由相同金屬材料同時形成。

在一些實施例中，為所述凹槽所露出的所述層間介電層的頂面低于所述凹槽以外的所述層間介電層的頂面。

在一些實施例中，對應(yīng)于所述凹槽設(shè)置的所述金屬層對應(yīng)于所述第一柵極設(shè)置，并與所述第一柵絕緣層及所述第一柵極構(gòu)成寄生電容。

在一些實施例中，所述第一柵極、所述第一柵絕緣層、所述半導(dǎo)體層及所述兩個源/漏極構(gòu)成了薄膜晶體管。

在一些實施例中，所述陣列基層還包括：