[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備及其工藝腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010573086.2
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN111613512B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 紀(jì)克紅;王帥偉;魏景峰
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/68
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導(dǎo)體設(shè)備的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室內(nèi)設(shè)置有可升降的基座，所述基座用于承載晶圓；

所述基座上沿周向均布有多個(gè)導(dǎo)向滑塊，所述導(dǎo)向滑塊能沿所述基座的徑向滑動(dòng)；

所述工藝腔室內(nèi)壁上設(shè)置有蓋環(huán)支架，所述蓋環(huán)支架上搭設(shè)有蓋環(huán)，所述蓋環(huán)位于所述基座的上方且與所述基座同心設(shè)置，所述蓋環(huán)底部對應(yīng)于所述導(dǎo)向滑塊設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)向件；

在所述基座上升至工藝位置的過程中，所述導(dǎo)向件能帶動(dòng)所述導(dǎo)向滑塊沿所述基座的徑向向所述基座的中心滑動(dòng)，使所述導(dǎo)向滑塊推動(dòng)承載在所述基座上的晶圓，對所述晶圓與所述蓋環(huán)進(jìn)行對中，所述基座上升至所述工藝位置后，所述蓋環(huán)壓覆于所述晶圓的邊緣上；

所述導(dǎo)向件包括設(shè)置在所述蓋環(huán)底部朝遠(yuǎn)離所述基座的方向斜向延伸設(shè)置的導(dǎo)向柱，所述導(dǎo)向柱的軸線與所述蓋環(huán)的軸線呈一預(yù)設(shè)夾角。

2.如權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述基座包括有基座本體、適配環(huán)，所述適配環(huán)套設(shè)于所述基座本體上，所述適配環(huán)上開設(shè)有多個(gè)安裝槽，所述多個(gè)導(dǎo)向滑塊一一對應(yīng)地設(shè)置在所述多個(gè)安裝槽中，所述導(dǎo)向滑塊能在所述安裝槽中沿所述基座的徑向滑動(dòng)。

3.如權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述安裝槽為楔形槽，所述導(dǎo)向滑塊與所述安裝槽相適配。

4.如權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述導(dǎo)向滑塊上開設(shè)有與所述導(dǎo)向柱配合的導(dǎo)向孔，所述導(dǎo)向孔與所述導(dǎo)向柱間隙配合；在所述基座上升至所述工藝位置的過程中，所述導(dǎo)向柱頂?shù)炙鰧?dǎo)向孔靠近所述基座的側(cè)壁，使所述導(dǎo)向滑塊沿所述基座的徑向向所述基座的中心滑動(dòng)。

5.如權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述導(dǎo)向滑塊上開設(shè)有與所述導(dǎo)向柱配合的導(dǎo)向孔，所述導(dǎo)向孔與所述導(dǎo)向柱間隙配合；在所述基座上升至所述工藝位置的過程中，所述導(dǎo)向柱頂?shù)炙鰧?dǎo)向孔靠近所述基座的側(cè)壁，使所述導(dǎo)向滑塊沿所述基座的徑向向所述基座的中心滑動(dòng)。

6.如權(quán)利要求5所述的工藝腔室，其特征在于，所述安裝槽的底部對應(yīng)于所述導(dǎo)向孔的位置處開設(shè)有容置槽，用于容置所述導(dǎo)向柱。

7.如權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述導(dǎo)向柱呈圓柱狀或者棱柱狀，并且所述導(dǎo)向柱的端部為半球形。

8.如權(quán)利要求5所述的工藝腔室，其特征在于，所述導(dǎo)向孔靠近所述基座的側(cè)壁與所述適配環(huán)的軸線之間呈所述預(yù)設(shè)夾角。

9.如權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述預(yù)設(shè)夾角小于90度且大于15度。

10.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9的任一所述的半導(dǎo)體設(shè)備的工藝腔室。