[發明專利]修補后的陣列基板及修補方法、顯示面板在審
| 申請號: | 202010572562.9 | 申請日: | 2020-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN111682030A | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發明(設計)人: | 前昌弘;蔣雷;楊宇丹 | 申請(專利權)人: | 成都中電熊貓顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱穎;臧建明 |
| 地址: | 610200 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 修補 陣列 方法 顯示 面板 | ||
本發明提供一種修補后的陣列基板及修補方法、顯示面板。本發明提供的修補后的陣列基板,包括襯底基板和設置在襯底基板上的數據線、掃描線及薄膜晶體管,數據線和掃描線縱橫交錯排布并限定出多個像素區域,每個像素區域內均設有薄膜晶體管;薄膜晶體管包括設置在襯底基板上并與掃描線連接的柵極、覆蓋柵極的柵絕緣層、設置在柵絕緣層上的有源島以及覆蓋有源島的鈍化層;其中,具有缺陷點的像素區域內的鈍化層中設有凹槽,凹槽內填充有不透光涂層,以通過不透光涂層使具有缺陷點的像素區域呈現暗點狀態。本發明提供的修補后的陣列基板適用于修補各生產工藝步驟中產生的輝點缺陷,且修補結構和修補工藝較為簡單。
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,尤其涉及一種修補后的陣列基板及修補方法、顯示面板。
背景技術
液晶顯示面板通常由相對設置的陣列基板、彩膜基板以及夾設在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層組成,通過在陣列基板和彩膜基板之間施加驅動電壓,可控制液晶層中的液晶分子旋轉,從而將背光模組的光線折射出來產生畫面。
液晶顯示面板中,陣列基板由橫縱交錯的多條數據線和掃描線分割形成多個陣列排布的像素區域,每個像素區域內均設有薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱:TFT),掃描線為TFT提供開關信號,可控制半導體層使得源極和漏極導通,使源極信號流向像素電極。當像素區域內的顯示狀態由于一些原因不受該像素區域內的TFT控制時,將會使得該像素區域成為常亮點,即輝點,液晶顯示器在顯示畫面時,該輝點一直存在,成為液晶顯示器上的一個點缺陷,從而影響液晶顯示器的顯示效果。目前,針對輝點缺陷,通常的修復方法是:首先切斷該像素區域內漏極與TFT的電連接,然后在陣列基板的過孔處通過激光熔融工藝將像素電極與存儲電容線電連接,使得像素電極和存儲電容線處于同一電位,將輝點黑點化,從而解決由于TFT出現缺陷無法控制像素區域的顯示狀態而產生輝點的問題。
然而,在陣列基板制作過程中,可能會在不同工藝步驟中產生輝點缺陷,采用上述修復方法存在無法修復輝點缺陷的情況。
發明內容
本發明提供一種修補后的陣列基板及修補方法、顯示面板,適用于修補各生產工藝步驟中產生的輝點缺陷,且修補結構和修補工藝較為簡單。
第一方面,本發明提供一種修補后的陣列基板,該陣列基板包括襯底基板和設置在襯底基板上的數據線、掃描線及薄膜晶體管,數據線和掃描線縱橫交錯排布并限定出多個像素區域,每個像素區域內均設有薄膜晶體管;
薄膜晶體管包括設置在襯底基板上并與掃描線連接的柵極、覆蓋柵極的柵絕緣層、設置在柵絕緣層上的有源島以及覆蓋有源島的鈍化層;
其中,具有缺陷點的像素區域內的鈍化層中設有凹槽,凹槽內填充有不透光涂層,以通過不透光涂層使具有缺陷點的像素區域呈現暗點狀態。
在一種可能的實施方式中,鈍化層包括無機絕緣層,凹槽設置在無機絕緣層中。
在一種可能的實施方式中,無機絕緣層的厚度為2-4μm。
在一種可能的實施方式中,鈍化層包括依次層疊在柵絕緣層上的無機絕緣層和有機絕緣層,凹槽設置在有機絕緣層中。
在一種可能的實施方式中,無機絕緣層的厚度為3000-4000埃,有機絕緣層的厚度為2-4μm。
在一種可能的實施方式中,不透光涂層為黑色涂層。
在一種可能的實施方式中,該陣列基板還包括設置在鈍化層上的像素電極;其中,沒有缺陷點的像素區域內,像素電極通過接觸孔與有源島中的漏極連接;具有缺陷點的像素區域內,像素電極被隔離在不透光涂層上。
第二方面,本發明提供一種陣列基板的修補方法,該修補方法包括如下步驟:
在襯底基板上形成鈍化層后,確定缺陷點所在的像素區域;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





