[發明專利]一種高形成能的Ni基大塊非晶及其制備方法

有效

• 申請號: 202010572448.6
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111621724B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 曾宇喬;毛宇軒;張旭海;崔鵬;呂宙;蔣建清
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: C22C45/04
• 分類號: C22C45/04
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張華蒙

1.一種高形成能的Ni基大塊非晶的制備方法，其特征在于：其由以下組分組成：Ni含量為60～70at％，Pd含量為10～20at％，Si含量為2～4at％，B含量為2～6at％，P為10～16at％；其制備方法包括如下步驟：

1)制備母合金，其中Ni含量為60～70at％，Pd含量為10～20at％，Si含量為2～4at％，B含量為2～6at％，P含量為10～16at％；

2)將母合金在純度99.99％B₂O₃中反復熔融加熱-冷卻直至B₂O₃在熔融過程中無氣泡產生；所述的加熱的溫度在450℃以上，直至B₂O₃融化；

3)步驟2)制備出的母合金通過熔融后水淬制備出Ni基大塊非晶，或采用熔融后噴鑄出Ni基大塊非晶。

2.根據權利要求1所述的高形成能的Ni基大塊非晶的制備方法，其特征在于：步驟1)中，所述的制備母合金是將純度99.7％Ni₃P，99.99％Pd，99.99％Si，99.99％B和99.5％Ni，按Ni、Pd、Si、B、P原子比60～70:10～20:2～4:2～6:10～16混合熔煉，獲得母合金。

3.根據權利要求1所述的高形成能的Ni基大塊非晶的制備方法，其特征在于：步驟2)中，所述的反復熔融加熱-冷卻次數為2-10次。