[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202010572227.9
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN112133751A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 洪載昊;金容錫;金炫哲;樸碩漢;山田悟;李炅奐
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

一種半導體器件包括：基板，包括凹陷；第一柵絕緣層，在該凹陷的下部側壁和底部上，該第一柵絕緣層包括具有滯回特性的絕緣材料；第一柵電極，在該凹陷內且在第一柵絕緣層上；第二柵電極，在該凹陷中接觸第一柵電極，該第二柵電極包括與第一柵電極的材料不同的材料；以及雜質區，在基板中且與該凹陷的側壁相鄰，雜質區的底部相對于基板的底部高于第二柵電極的底部。

技術領域

示例實施方式涉及半導體器件。更具體地，示例實施方式涉及包括晶體管的半導體器件。

背景技術

在動態隨機存取存儲器(DRAM)器件的情況下，一個存儲單元可以包括晶體管和電容器，并且DRAM器件的電特性可以根據晶體管的特性而變化。然而，隨著DRAM器件的集成的提高，在這樣的DRAM器件中形成具有優異電特性的晶體管可能是困難的。

發明內容

根據示例實施方式，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：具有凹陷的基板；第一柵絕緣層，在該凹陷的下部側壁和底部上，第一柵絕緣層包括具有滯回特性的絕緣材料；第一柵電極，在凹陷內且在第一柵絕緣層上；第二柵電極，在凹陷中與第一柵電極接觸，第二柵電極包括與第一柵電極的材料不同的材料；以及雜質區，在基板中且與凹陷的側壁相鄰，雜質區的底部相對于基板的底部高于第二柵電極的底部。

根據示例實施方式，提供一種半導體器件，該半導體器件包括界面絕緣層、第一柵絕緣層、第一柵電極和雜質區。界面絕緣層可以形成在基板上，并且界面絕緣層可以具有第一厚度。第一柵絕緣層可以形成在界面絕緣層上，并且第一柵絕緣層可以具有大于第一厚度的第二厚度。第一柵絕緣層可以包括具有滯回特性的絕緣材料。第一柵電極可以形成在第一柵絕緣層上。雜質區可以形成在與第一柵電極的側壁相鄰的基板處。取決于第一柵電極的電壓電平，晶體管可以具有第一閾值電壓和與第一閾值電壓不同的第二閾值電壓中的一個。

根據示例實施方式，提供一種半導體器件，該半導體器件包括基板、界面絕緣層、第一柵絕緣層、第一柵電極、第二柵電極、雜質區、電容器。基板可以包括凹陷。界面絕緣層可以形成在凹陷的下部側壁和底部上。第一柵絕緣層可以形成在界面絕緣層上，并且第一柵絕緣層可以包括鐵電材料。第一柵電極可以形成在第一柵絕緣層上以填充凹陷的下部，并且第一柵電極可以包括金屬。第二柵電極可以在凹陷中接觸第一柵電極，并且第二柵電極可以包括與第一柵電極的材料不同的材料。雜質區可以形成在與凹陷的側壁相鄰的基板處。電容器可以電連接到雜質區之一。取決于第一柵電極的電壓電平，晶體管可以具有第一閾值電壓和不同于第一閾值電壓的第二閾值電壓中的一個。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施方式，特征對于本領域技術人員將變得明顯，附圖中：

圖1示出根據示例實施方式的晶體管的剖視圖；

圖2示出根據示例實施方式的晶體管中的根據柵極電壓的閾值電壓；

圖3示出根據示例實施方式的晶體管的剖視圖；

圖4示出根據示例實施方式的晶體管的剖視圖；

圖5示出根據示例實施方式的晶體管的剖視圖；

圖6示出根據示例實施方式的晶體管的剖視圖；

圖7至圖14示出根據示例實施方式的制造晶體管的方法中的多個階段的剖視圖；

圖15示出根據示例實施方式的晶體管的剖視圖；

圖16示出根據示例實施方式的晶體管的剖視圖；

圖17示出根據示例實施方式的晶體管的剖視圖；以及

圖18示出根據示例實施方式的半導體器件的剖視圖。

具體實施方式