[發明專利]一種鈰摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法及其在制備晶體管中的應用

有效

• 申請號: 202010571464.3
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111834230B
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 陸旭兵;李長灝
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L21/473
• 分類號: H01L21/473;H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 廣州正明知識產權代理事務所(普通合伙) 44572
• 代理人: 成姍

1.一種鈰摻雜的氧化鋯薄膜，其特征在于，采用如下方法制備得到：

將鋯源和鈰源溶于有機溶劑中，制備鋯鈰氧化物前驅體溶液，最后涂覆在襯底上后進行熱處理制得；所述鋯鈰氧化物前驅體溶液中鋯鈰摩爾比為(100-X)：X，其中0＜X≤7.5；所述熱處理包括以下步驟：先進行退火，在襯底上制備一層鈰摻雜的氧化鋯薄膜；依次旋涂和再退火多次，在襯底上制得多層鈰摻雜的氧化鋯薄膜；最后進行致密化處理；所述退火包括40-80℃退火4-6min，再100-120℃退火8-12min；所述致密化處理具體包括升溫階段、保溫階段和降溫階段，升溫階段為在100-140s內升溫至350-450℃，保溫3000-4200s；而后是降溫階段，每隔100-140s下降60-80℃，并在達到每次下降的溫度時保溫100-140s，直至溫度降至室溫為止。

2.一種包含權利要求1所述的鈰摻雜的氧化鋯薄膜的晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將硝酸銦溶于有機溶劑中，將依次進行密封、水浴攪拌加熱處理得到的氧化銦前驅體溶液；

S2、將S1制得的氧化銦前驅體溶液涂覆在鈰摻雜的氧化鋯薄膜上后進行熱處理，制得氧化銦薄膜；

S3、采用熱蒸發法在氧化銦薄膜上沉積金屬電極后制得。

3.根據權利要求2所述的晶體管的制備方法，其特征在于，S2所述熱處理為在80-120℃下退火8-12min。

4.根據權利要求2所述的晶體管的制備方法，其特征在于，S3所述沉積金屬電極的條件為：在真空下進行，氣壓為7.5×10^-4Pa - 8.5×10^-4Pa，沉積速率控制為0.015-0.025nm/s，厚度為10-50nm。