[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于分析濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部路徑的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010571260.X
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111856231B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王銳;楊侃誠(chéng);王亞波;李建軍;莫軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣芯微電子（廣州）股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/26;G01R31/28;H01L21/66;B08B1/00;B08B5/02
• 代理公司: 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;麥小嬋

1.一種用于分析濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部路徑的方法，其特征在于，包括步驟：

選取濕度可靠性測(cè)試失效芯片的晶圓；

收集所述晶圓的原始測(cè)試數(shù)據(jù)，其中，所述原始測(cè)試數(shù)據(jù)包括原始工藝制程參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)、原始晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)；

對(duì)經(jīng)過(guò)高溫高濕試驗(yàn)后的所述晶圓進(jìn)行清潔；

收集清潔后的所述晶圓的試驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)，其中，所述試驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)包括原始工藝制程參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)、試驗(yàn)晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)；

根據(jù)所述原始測(cè)試數(shù)據(jù)與所述試驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)之間的差值的晶圓地圖判斷濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部的路徑；

所述根據(jù)所述原始測(cè)試數(shù)據(jù)、所述試驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)的差值的晶圓地圖判斷濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部的路徑，包括：

在所述晶圓地圖中，當(dāng)所述晶圓的容值差值或阻值差值由外到內(nèi)成逐漸減小分布時(shí)，則判斷濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部的路徑為：濕氣從芯片四周侵入芯片內(nèi)部。

2.如權(quán)利要求1所述的用于分析濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部路徑的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述原始測(cè)試數(shù)據(jù)、所述試驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)的差值的晶圓地圖判斷濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部的路徑，包括：

在所述晶圓地圖中，當(dāng)所述晶圓的晶圓表面存在屬于設(shè)定隨機(jī)性圖形條件的缺陷圖形時(shí)，則判斷濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部的路徑為：濕氣從晶圓表面缺陷處侵入芯片內(nèi)部。

3.如權(quán)利要求1所述的用于分析濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部路徑的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述原始測(cè)試數(shù)據(jù)、所述試驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)的差值的晶圓地圖判斷濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部的路徑，包括：

在所述晶圓地圖中，當(dāng)所述晶圓的晶圓表面存在屬于設(shè)定特殊圖形條件的圖形時(shí)，則判斷濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部的路徑為：濕氣從晶圓的特定位置侵入芯片內(nèi)部。

4.如權(quán)利要求1所述的用于分析濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部路徑的方法，其特征在于，所述對(duì)經(jīng)過(guò)高溫高濕試驗(yàn)后的所述晶圓進(jìn)行清潔，具體為：

對(duì)進(jìn)行高溫高濕試驗(yàn)后的所述晶圓使用氮?dú)鈽尯兔⑦M(jìn)行清潔。

5.如權(quán)利要求1所述的用于分析濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部路徑的方法，其特征在于，所述高溫高濕試驗(yàn)的條件為：

溫度：130℃，相對(duì)濕度：85％RH，時(shí)間：96hrs。

6.如權(quán)利要求1所述的用于分析濕氣進(jìn)入芯片內(nèi)部路徑的方法，其特征在于，所述原始晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)包括所述晶圓在經(jīng)過(guò)高溫高濕試驗(yàn)前的漏電參數(shù)、時(shí)鐘頻率參數(shù)；

所述試驗(yàn)晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)包括所述晶圓在經(jīng)過(guò)高溫高濕試驗(yàn)后的漏電參數(shù)、時(shí)鐘頻率參數(shù)。