[發(fā)明專利]SiC器件的短路保護電路以及電力電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010570995.0 | 申請日： | 2020-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN111817262B | 公開（公告）日： | 2023-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 文熙凱;周黨生 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市禾望電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | H02H7/20 | 分類號： | H02H7/20;H02H3/08 |
| 代理公司： | 廣東廣和律師事務所 44298 | 代理人： | 王峰 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市福田區(qū)沙頭街道天安社區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 器件 短路 保護 電路 以及 電力 電子設(shè)備 | ||
本申請公開一種SiC器件的短路保護電路以及電力電子設(shè)備，所述SiC器件的短路保護電路包括驅(qū)動電路、第一晶體開關(guān)管、第二晶體開關(guān)管、第一電阻、第二電阻以及第一穩(wěn)壓二極管；第一電阻、第一晶體開關(guān)管、第二電阻以及第一穩(wěn)壓二極管依次串聯(lián)連接以形成第一支路；SiC器件的第二電極端與第二晶體開關(guān)管的第二電極端以及第一支路臨近第一電阻的一端連接，SiC器件的第一電極端與第一支路臨近第一穩(wěn)壓二極管的另一端連接，SiC器件的控制端與第二晶體開關(guān)管的第一電極端、第一晶體開關(guān)管的控制端以及驅(qū)動電路連接。本申請?zhí)峁┑腟iC器件的短路保護電路以及電力電子設(shè)備，去掉了消隱電容，可以降低SiC器件的短路保護時間，提升了系統(tǒng)的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種SiC器件的短路保護電路以及電力電子設(shè)備。
背景技術(shù)
SiC器件的短路保護主要是通過檢測Vds兩端的飽和壓降進行。
如圖1所示，R1為限流電阻，D1為防反二極管，R2為SiC器件Q1的驅(qū)動電阻，C2為消隱電容。驅(qū)動電路內(nèi)置受控電流源，且內(nèi)置受控電流源與驅(qū)動電壓為同步輸出，即驅(qū)動電壓為正時，內(nèi)置受控電流源有輸出。
當Q1正常工作時，Q1的Vds兩端的飽和壓降較低，此時驅(qū)動電路的內(nèi)置受控電流源通過R1、D1被旁路，消隱電容C2的電壓達不到短路保護的閾值電壓，因此驅(qū)動電路不會啟動保護機制。
當Q1短路時，Q1的Vds兩端的飽和壓降會迅速大幅升高，消隱電容C2的電壓也會迅速升高到閾值電壓，驅(qū)動電路隨即關(guān)斷驅(qū)動，使得Q1關(guān)斷。
上述方案存在的問題是，消隱電容C2的容值較大，短路時間較長，導致可靠性降低。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本申請的目的在于提供一種SiC器件的短路保護電路以及電力電子設(shè)備，以解決現(xiàn)有SiC器件的短路保護電路存在的消隱電容容值較大，短路時間較長的問題。
本申請解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下：
根據(jù)本申請的一個方面，提供的一種SiC器件的短路保護電路，所述SiC器件的短路保護電路包括驅(qū)動電路、第一晶體開關(guān)管、第二晶體開關(guān)管、第一電阻、第二電阻以及第一穩(wěn)壓二極管；
所述第一電阻、所述第一晶體開關(guān)管、所述第二電阻以及所述第一穩(wěn)壓二極管依次串聯(lián)連接以形成第一支路；
所述SiC器件的第二電極端與所述第二晶體開關(guān)管的第二電極端以及所述第一支路臨近所述第一電阻的一端連接，所述SiC器件的第一電極端與所述第一支路臨近所述第一穩(wěn)壓二極管的另一端連接，所述SiC器件的控制端與所述第二晶體開關(guān)管的第一電極端、所述第一晶體開關(guān)管的控制端以及所述驅(qū)動電路連接；所述第一晶體開關(guān)管的控制端與所述驅(qū)動電路連接；所述第二晶體開關(guān)管的控制端連接在所述第一電阻與所述第一晶體開關(guān)管之間；
所述驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述第一晶體開關(guān)管和所述SiC器件。
在一種實施方式中，所述SiC器件的短路保護電路還包括第三電阻、第四電阻以及第五電阻；
所述第三電阻的一端與所述驅(qū)動電路連接，所述第三電阻的另一端與所述第一晶體開關(guān)管的控制端、所述第二晶體開關(guān)管的第一電極端以及所述第四電阻的一端連接，所述第四電阻的另一端與所述第五電阻的一端以及所述SiC器件的控制端連接，所述第五電阻的另一端與所述SiC器件的第二電極端連接。
在一種實施方式中，所述SiC器件的短路保護電路還包括第六電阻、第七電阻以及防反二極管；
所述第六電阻的一端與所述第三電阻的另一端連接，所述第六電阻的另一端與所述第一晶體開關(guān)管的控制端連接；
所述第七電阻與所述防反二極管串聯(lián)連接后與所述第六電阻并聯(lián)連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市禾望電氣股份有限公司，未經(jīng)深圳市禾望電氣股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010570995.0/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
