[發明專利]一種鉭酸鋰薄膜波導聲光調制器

有效

• 申請號: 202010570977.2
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111708188B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 溫旭杰;王少葳;華平壤;宋偉;崔坤;盧明達;徐佳俊;王旭
• 申請（專利權）人: 中電科技德清華瑩電子有限公司
• 主分類號: G02F1/125
• 分類號: G02F1/125;G02F1/00
• 代理公司: 杭州賽科專利代理事務所(普通合伙) 33230
• 代理人: 郭薇

1.一種鉭酸鋰薄膜波導聲光調制器，其特征在于：由壓電材料、光波導和壓電換能器構成，所述光波導為LT薄膜光波導，所述壓電換能器為分離式叉指換能器，LT薄膜光波導設置在壓電材料上，分離式叉指換能器設置在LT薄膜光波導上，所述壓電材料其結構自下而上依次包括Si襯底、SiO₂層和LT薄膜層，所述的LT薄膜光波導設置在LT薄膜層中，

所述的LT薄膜光波導在壓電材料上的制備過程為：

S1.鍍膜，選擇壓電材料，用PECVD鍍膜機在壓電材料的LT薄膜層的表面鍍一層100~150nm厚的SiO₂膜；

S2.光刻，在LT薄膜層表面的SiO₂膜上沉積一層負光膠，100~120℃下烘烤20~30分鐘；在負光膠上放置一塊光波導掩膜板，紫外光照射30~60秒；將樣品在顯影液中放置30~60秒進行顯影,除去未被照射的負光膠，然后在去離子水中漂洗干凈，100~120℃下烘烤8~12分鐘；用SiO₂腐蝕液去除未被光刻膠覆蓋的SiO₂膜，制作出間距為1~2μm的SiO₂掩模；最后用除膠劑去除SiO₂掩模上覆蓋的光刻膠；

S3.VPPE處理，將光刻后的樣品用丙酮或酒精清洗干凈，在100~120℃下烘烤5～10分鐘；在石英細頸瓶底部鋪一層苯甲酸粉末3~8g，然后把樣品放入細頸瓶中，瓶子中部的細頸可將樣品與苯甲酸隔開；將石英細頸瓶豎直放入恒溫槽中，然后在320～350℃下密封處理8～10個小時，

所述的分離式叉指換能器的制備過程為：

S1.將VPPE處理后的樣品用丙酮或酒精清洗干凈，在100~120℃下烘烤5～10分鐘；

S2.在做完光波導的LT薄膜層的表面利用正光膠，通過對準套刻方式制作出壓電換能器的圖形，100~120℃下烘烤2~10分鐘；

S3.用電子束真空蒸鍍機在做完壓電換能器圖形的LT薄膜層的表面鍍一層500~700nm厚的Pt薄膜層；

S4.將鍍膜后的樣品放入丙酮或NMP溶劑中，剝離掉多余的Pt薄膜層，制作出Pt金屬層的壓電換能器，并清洗干凈。

2.根據權利要求1所述的一種鉭酸鋰薄膜波導聲光調制器，其特征在于：所述的壓電材料為Y42-LTOI材料結構。

3.根據權利要求1所述的一種鉭酸鋰薄膜波導聲光調制器，其特征在于：?Si襯底的厚度為400~1000μm，SiO₂層的厚度為400~600nm，LT薄膜層的厚度為500~1000nm。

4.根據權利要求1所述的一種鉭酸鋰薄膜波導聲光調制器，其特征在于：所述LT薄膜層中均勻分布的每個LT薄膜光波導寬度為1~2μm，厚度與LT薄膜層一致。

5.根據權利要求1所述的一種鉭酸鋰薄膜波導聲光調制器，其特征在于：所述的分離式叉指換能器厚度為500~700nm，間距為20~40μm。