[發(fā)明專利]用于處理站阻抗調(diào)節(jié)的裝置、系統(tǒng)和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010570685.9
• 申請(qǐng)日: 2020-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN113823582A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金基烈;荒見淳一;劉振;張亞新;林英浩;申思
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 林彥

本申請(qǐng)涉及用于處理站阻抗調(diào)節(jié)的裝置、系統(tǒng)和方法。一種用于單個(gè)處理站阻抗調(diào)節(jié)的裝置可包括：加熱盤，其包括第一接地網(wǎng)和第二接地網(wǎng)，所述第一接地網(wǎng)和所述第二接地網(wǎng)覆蓋所述加熱盤的不同區(qū)域；第一調(diào)諧器，其連接到所述第一接地網(wǎng)，且包含第一可調(diào)電容和用以檢測(cè)電流的第一傳感器；以及第二調(diào)諧器，其連接到所述第二接地網(wǎng)，且包含第二可調(diào)電容和用以檢測(cè)電流的第二傳感器。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)大體上涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，且更具體來說，涉及在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中用于處理站阻抗調(diào)節(jié)的裝置、系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，需要提高半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的產(chǎn)能，提高生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的集成生產(chǎn)能力，這就要求增加半導(dǎo)體處理系統(tǒng)能夠同時(shí)處理的基片的最大數(shù)量。可以通過增加半導(dǎo)體處理系統(tǒng)搭載的處理腔室的數(shù)量或者采用多站式處理腔室來實(shí)現(xiàn)此目的。多站式處理腔室指的是在一個(gè)處理腔室中可設(shè)置多個(gè)處理站，每個(gè)處理站可處理一個(gè)基片，因而多站式處理腔室可以同時(shí)處理多個(gè)基片。

通常希望對(duì)多站式處理腔室中的多個(gè)基片進(jìn)行相同的工藝處理，并得到相同的薄膜厚度分布。然而，各個(gè)處理站之間的硬件差異可能會(huì)導(dǎo)致射頻阻抗的差異，進(jìn)而影響工藝結(jié)果的一致性。因此，需要一種能夠減少多個(gè)處理站之間工藝結(jié)果的差異性的方法。

另外，對(duì)于單個(gè)處理站而言，如何調(diào)整薄膜厚度分布以滿足不同應(yīng)用需求也是需要考慮的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，在本申請(qǐng)的一種實(shí)施方式中，提供了一種用于單個(gè)處理站阻抗調(diào)節(jié)的裝置，其包括：加熱盤，其包括第一接地網(wǎng)和第二接地網(wǎng)，所述第一接地網(wǎng)和所述第二接地網(wǎng)覆蓋所述加熱盤的不同區(qū)域；第一調(diào)諧器，其連接到所述第一接地網(wǎng)，且包含第一可調(diào)電容和用以檢測(cè)電流的第一傳感器；以及第二調(diào)諧器，其連接到所述第二接地網(wǎng)，且包含第二可調(diào)電容和用以檢測(cè)電流的第二傳感器。

在一些實(shí)施例中，所述裝置進(jìn)一步包括第一加熱盤射頻電極，其中所述第一加熱盤射頻電極的一端連接到所述第一接地網(wǎng)，所述第一加熱盤射頻電極的另一端連接到所述第一調(diào)諧器；以及第二加熱盤射頻電極，其中所述第二加熱盤射頻電極的一端連接到所述第二接地網(wǎng)，所述第二加熱盤射頻電極的另一端連接到所述第二調(diào)諧器。所述第一加熱盤射頻電極和所述第二加熱盤射頻電極可為鎳棒或銅棒，或者其它類似材料。

在一些實(shí)施例中，所述第一接地網(wǎng)和所述第二接地網(wǎng)同心布置。所述第一加熱盤射頻電極和所述第二加熱盤射頻電極相對(duì)于所述第一接地網(wǎng)和所述第二接地網(wǎng)的中心對(duì)稱布置。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一接地網(wǎng)在所述第二接地網(wǎng)上方，所述第二接地網(wǎng)的中心部分包含被所述第一接地網(wǎng)至少部分覆蓋的鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域中設(shè)置有連接肋條，所述第二加熱盤射頻電極連接到所述連接肋條，且所述第一加熱盤射頻電極穿過所述鏤空區(qū)域連接到所述第一接地網(wǎng)。

在一些實(shí)施例中，所述裝置進(jìn)一步包括轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，所述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)包括：第一射頻轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，其將所述第一加熱盤射頻電極的所述另一端連接到所述第一調(diào)諧器的第一接入電極；以及第二射頻轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，其將所述第二加熱盤射頻電極的所述另一端連接到所述第二調(diào)諧器的第二接入電極。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一射頻轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)包含第一夾緊結(jié)構(gòu)以及第一彈片，所述第一彈片的一端固定在所述第一接入電極上，所述第一彈片的另一端通過所述第一夾緊結(jié)構(gòu)與所述第一加熱盤射頻電極的所述另一端夾緊連接；所述第二射頻轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)包含第二夾緊結(jié)構(gòu)以及第二彈片，所述第二彈片的一端固定在所述第二接入電極上，所述第二彈片的另一端通過所述第二夾緊結(jié)構(gòu)與所述第二加熱盤射頻電極的所述另一端夾緊連接。其中，所述第一彈片的所述一端與所述第一彈片的所述另一端之間包含第一水平延伸部分，所述第二彈片的所述一端與所述第二彈片的所述另一端之間包含第二水平延伸部分。