[發明專利]微模制流體壓力傳感器殼體

有效

• 申請號: 202010570650.5
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112113699B
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發明（設計）人: 布蘭得利·亨廷格;理查德·韋德
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: G01L9/02
• 分類號: G01L9/02;G01L19/00;G01L19/14
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉楨;劉茜

1.一種壓力傳感器，包括：

感測管芯，所述感測管芯被配置為在接收到所述感測管芯的上感測表面上的外部壓力之后輸出電信號；

襯底，所述襯底電連接到所述感測管芯；

環結構，所述環結構環繞所述感測管芯，其中所述環結構的底端卡扣配合到所述襯底；和

壓力傳輸介質，所述壓力傳輸介質包覆模制在所述環結構的上端上方從而具有第一部分和第二部分，所述第一部分定位在所述環結構的外部并且與所述環結構的上端相鄰，所述第二部分定位在所述環結構的內部以與所述感測管芯的所述上感測表面接觸，其中所述第二部分并不填充所述環結構的整個內部，使得由所述第二部分的底表面，所述襯底的上表面，所述環結構的側壁的側表面和所述感測管芯的側表面形成有空的空間；

其中所述壓力傳輸介質將所接收的外部壓力傳輸到所述感測管芯的所述上感測表面以從所述感測管芯生成輸出信號，其中處理器將所述輸出信號轉換為壓力讀數。

2.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述壓力傳輸介質和所述環結構各自被描述為不透明的。

3.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述壓力傳輸介質與所述環結構過盈配合。

4.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述感測管芯為倒裝芯片設計的硅芯片。

5.根據權利要求4所述的壓力傳感器，其中所述硅芯片配備有具有壓阻式傳感器的惠斯通電橋電路。

6.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述環結構的內徑介于約1mm和約10mm之間。

7.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述感測管芯被配置為測量在約-10PSI至約200PSI范圍內的壓力。

8.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述壓力傳輸介質限定密封結構以與流體導管形成不透流體的密封。

9.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述壓力傳輸介質為設置在所述環結構上方的硅樹脂材料，其中所述硅材料包覆模制到所述環結構的外部以與所述環結構形成密封并且填充所述環結構的內部。

10.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述環結構包括形成在所述環結構的底部處的多個柔性腿部；

其中所述多個柔性腿部被插入多個配合孔中，使得所述環結構環繞所述感測管芯；并且

其中硅樹脂材料的頂表面接收所述外部壓力并且將所述外部壓力傳輸到所述感測管芯的所述上感測表面以生成所述輸出信號。