[發(fā)明專利]一種增強MOSFET可靠性的方法、設(shè)備、計算機設(shè)備和介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010570092.2 | 申請日： | 2020-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN111858235B | 公開（公告）日： | 2022-08-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 廖明超 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分類號： | G06F11/30 | 分類號： | G06F11/30 |
| 代理公司： | 北京連和連知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278 | 代理人： | 張元 |
| 地址： | 215100 江蘇省蘇州市吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 增強 mosfet 可靠性 方法 設(shè)備 計算機 介質(zhì) | ||
本發(fā)明提供了一種增強MOSFET可靠性的方法和設(shè)備，該方法包括以下步驟：檢測MOSFET的環(huán)境溫度，并將環(huán)境溫度與閾值溫度進行比較；響應(yīng)于環(huán)境溫度不小于閾值溫度，將環(huán)境溫度轉(zhuǎn)換為電信號；將電信號傳輸?shù)紺harge Pump模塊中以根據(jù)該電信號使Charge Pump模塊的輸出電壓上升沿變長；將Charge Pump模塊的輸出電壓輸入到MOSFET的Gate driver模塊中以使MOSFET開啟速度變慢。通過使用本發(fā)明的方案，能夠使得熱插拔過程中系統(tǒng)浪涌電流減小，保證MOSFET在高溫環(huán)境下，也能工作在SOA的安全區(qū)域，減小被擊穿的概率。
技術(shù)領(lǐng)域
本領(lǐng)域涉及計算機領(lǐng)域，并且更具體地涉及一種增強MOSFET可靠性的方法、設(shè)備、計算機設(shè)備和介質(zhì)。
背景技術(shù)
伴隨云計算應(yīng)用的發(fā)展，信息化逐漸覆蓋到社會的各個領(lǐng)域。人們的日常工作生活越來越多的通過網(wǎng)絡(luò)來進行交流，網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)量也在不斷增加。Rack整機柜服務(wù)器也逐步在數(shù)據(jù)中心大規(guī)模應(yīng)用。因此，RACK整機柜中的服務(wù)器熱插拔維護顯得尤為突出。
節(jié)點服務(wù)器進行熱插拔維護時，可能導(dǎo)致熱插拔開啟MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)過程中，MOSFET溫度過高進而造成燒壞的問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實施例的目的在于提出一種增強MOSFET可靠性的方法和設(shè)備，通過使用本發(fā)明的方法，能夠使得熱插拔過程中系統(tǒng)浪涌電流減小，保證MOSFET在高溫環(huán)境下，也能工作在SOA的安全區(qū)域，減小被擊穿的概率。
基于上述目的，本發(fā)明的實施例的一個方面提供了一種增強MOSFET可靠性的方法，包括以下步驟：
檢測MOSFET的環(huán)境溫度，并將環(huán)境溫度與閾值溫度進行比較；
響應(yīng)于環(huán)境溫度不小于閾值溫度，將環(huán)境溫度轉(zhuǎn)換為電信號；
將電信號傳輸?shù)紺harge Pump(電荷泵)模塊中以根據(jù)該電信號使Charge Pump模塊的輸出電壓上升沿變長；
將Charge Pump模塊的輸出電壓輸入到MOSFET的Gate driver(門極驅(qū)動)模塊中以使MOSFET開啟速度變慢。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，閾值溫度為MOSFET在熱插拔過程中被擊穿時的環(huán)境溫度。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，檢測MOSFET的環(huán)境溫度包括：
使用熱敏電阻和電源測量環(huán)境溫度。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，還包括：
響應(yīng)于環(huán)境溫度超過閾值溫度特定范圍，將電信號傳輸?shù)紾ate driver模塊中以使MOSFET關(guān)閉。
本發(fā)明的實施例的另一個方面，還提供了一種增強MOSFET可靠性的設(shè)備，設(shè)備包括：
比較模塊，比較模塊配置為檢測MOSFET的環(huán)境溫度，并將環(huán)境溫度與閾值溫度進行比較；
轉(zhuǎn)換模塊，轉(zhuǎn)換模塊配置為響應(yīng)于環(huán)境溫度不小于閾值溫度，將環(huán)境溫度轉(zhuǎn)換為電信號；
傳輸模塊，傳輸模塊配置為將電信號傳輸?shù)紺harge Pump模塊中以根據(jù)該電信號使Charge Pump模塊的輸出電壓上升沿變長；
輸入模塊，輸入模塊配置為將Charge Pump模塊的輸出電壓輸入到MOSFET的Gatedriver模塊中以使MOSFET開啟速度變慢。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，閾值溫度為MOSFET在熱插拔過程中被擊穿時的環(huán)境溫度。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，比較模塊還配置為使用熱敏電阻和電源測量環(huán)境溫度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州浪潮智能科技有限公司，未經(jīng)蘇州浪潮智能科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010570092.2/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
