[發(fā)明專利]制造晶硅太陽能電池片的方法以及晶硅太陽能電池片

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010569142.5
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111599898A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚騫;常青;張家峰;馬列;王秀鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 通威太陽能（眉山）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 劉迎春

1.一種制造晶硅太陽能電池片的方法，方法包括設(shè)置基體片的步驟以及在基體片的頂表面、底表面上施加?xùn)啪€的步驟，其特征在于，設(shè)置基體片的步驟包括按照如下順序進(jìn)行的如下多個(gè)步驟：

設(shè)置N型硅片；

在N型硅片的頂表面上進(jìn)行硼擴(kuò)散從而生成P型摻雜層；

在P型摻雜層的頂表面上通入硅源以進(jìn)行鏈?zhǔn)窖趸瘡亩啥趸璞Ｗo(hù)層；

在N型硅片的底表面上設(shè)置二氧化硅隧穿層；

在二氧化硅隧穿層的底表面上通入磷源從而生成N型鈍化層，N型鈍化層為多晶硅鈍化層或摻雜多晶硅鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，設(shè)置N型鈍化層時(shí)采用60KHz以上的微波頻率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，設(shè)置N型鈍化層的步驟包括：

采用80kHz-100kHz的微波頻率；

將容納太陽能電池片的制備爐的爐內(nèi)溫度控制為400℃-600℃，并將制備爐的爐內(nèi)壓強(qiáng)控制為1kPa-13kPa。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，制備N型鈍化層的步驟還包括在通入磷源之前的如下步驟：通入氨氣和氧化二氮的混合氣體、對N型硅片的底表面進(jìn)行富氫等離子體處理，從而使N型硅片的底表面鈍化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在生成二氧化硅保護(hù)層的步驟和設(shè)置N型鈍化層的步驟之間的如下步驟：對N型硅片的邊緣和底表面刻蝕處理；

以及在設(shè)置N型鈍化層的步驟之后、按照如下順序進(jìn)行的如下步驟：

清除二氧化硅保護(hù)層；

對N型硅片的邊緣和P型摻雜層的頂表面刻蝕處理；

在P型摻雜層的頂表面上設(shè)置氧化鋁鈍化膜；

在氧化鋁鈍化膜的頂表面和N型鈍化層的底表面上設(shè)置減反膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，減反膜包括氮化硅減反膜、氮氧化硅減反膜、碳化硅減反膜、氧化硅減反膜中的至少一者。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，設(shè)置二氧化硅隧穿層的步驟包括：利用熱氧化、臭氧、濕法氧化和ALD方法中的至少一種制備二氧化硅隧穿層，使二氧化硅隧穿層的厚度為0.5nm-5nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在設(shè)置二氧化硅保護(hù)層的步驟中所通入的硅源包括硅酸鈉、硅酸甲脂、多聚硅氧烷、硅醇鹽中的至少一種；控制通入硅源的量和時(shí)間以使得生成的二氧化硅保護(hù)層的厚度為3nm-1μm。

9.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造成的晶硅太陽能電池片，其特征在于，晶硅太陽能電池片包括：

N型硅片；

配置在N型硅片的頂表面的P型摻雜層；

配置在N型硅片底表面的二氧化硅隧穿層；

在P型摻雜層的頂表面配置二氧化硅保護(hù)層之后配置的N型鈍化層，N型鈍化層為多晶硅鈍化層或摻雜多晶硅鈍化層，N型鈍化層設(shè)置在二氧化硅隧穿層的底表面上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶硅太陽能電池片，其特征在于，N型鈍化層為采用60KHz以上的微波頻率制備生成的整體層狀結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶硅太陽能電池片，其特征在于，N型鈍化層為采用80kHz-100kHz的微波頻率制備、并在溫度為400℃-600℃、壓強(qiáng)為1kPa-13kPa的制備爐中生成的整體層狀結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的晶硅太陽能電池片，其特征在于，N型鈍化層為在通入氨氣和氧化二氮的混合氣體、對N型硅片的底表面進(jìn)行富氫等離子體處理之后而制備生成的整體層狀結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶硅太陽能電池片，其特征在于，太陽能電池片還包括設(shè)置在P型摻雜層的頂表面上的氧化鋁鈍化層。