[發(fā)明專利]包括形成有鰭結(jié)構(gòu)的多柵極晶體管的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010569036.7
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN111799255A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金成玟;金洞院;裵金鐘
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/308;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 黃隸凡

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；多個鰭，包括第一鰭、第二鰭、第三鰭、第四鰭及第五鰭，所述多個鰭中的每一個在第一方向上從所述襯底突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開；以及多個溝槽，包括第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽及第四溝槽，所述多個溝槽中的每一個形成在所述多個鰭中的相鄰的鰭之間，其中所述第一溝槽的第一寬度及所述第三溝槽的第三寬度的變化小于第一變化，其中所述第二溝槽的第二寬度及所述第四溝槽的第四寬度的變化小于第二變化，且其中所述第二變化大于所述第一變化。

[相關(guān)申請的交叉參考]

本申請主張2017年5月24日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提出申請的韓國專利申請第10-2017-0063988號的優(yōu)先權(quán)以及從所述韓國專利申請衍生出的所有權(quán)利，所述韓國專利申請的內(nèi)容全文并入本申請供參考。

技術(shù)領(lǐng)域

根據(jù)示例性實施例的方法及裝置關(guān)于一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

已提出多柵極晶體管作為用于增大半導(dǎo)體器件的密度的一種按比例縮放技術(shù)，根據(jù)所述按比例縮放技術(shù)，在襯底上形成呈鰭或納米線形狀的硅本體，接著在硅本體的表面上形成柵極。

此種多柵極晶體管使得易于按比例縮放，這是由于此種多柵極晶體管使用三維溝道。另外，多柵極晶體管的電流控制能力可得到提高而不會使多柵極晶體管的柵極長度增大。另外，可有效地抑制短溝道效應(yīng)(short channel effect，SCE)，否則短溝道效應(yīng)會減小多柵極晶體管對納米級半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的溝道區(qū)的控制能力。

發(fā)明內(nèi)容

以下公開了一種操作性能得到改善的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)示例性實施例的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；多個鰭，包括第一鰭、第二鰭、第三鰭、第四鰭及第五鰭，所述多個鰭中的每一個在第一方向上從所述襯底突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開；以及多個溝槽，包括第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽及第四溝槽，所述多個溝槽中的每一個形成在所述多個鰭中的相鄰的鰭之間，其中所述第一溝槽的第一寬度及所述第三溝槽的第三寬度的變化小于第一變化且所述第二溝槽的第二寬度及所述第四溝槽的第四寬度的變化小于第二變化，且其中所述第二變化大于所述第一變化。

根據(jù)另一個示例性實施例的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；第一鰭結(jié)構(gòu)及第二鰭結(jié)構(gòu)，在第一方向上從所述襯底突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開；以及第一溝槽，將所述第一鰭結(jié)構(gòu)與所述第二鰭結(jié)構(gòu)彼此間隔開，其中所述第一鰭結(jié)構(gòu)包括從所述襯底突出的第一基礎(chǔ)鰭、從所述第一基礎(chǔ)鰭突出并在所述第二方向上彼此間隔開的第一鰭與第二鰭以及將所述第一鰭與所述第二鰭彼此間隔開的第二溝槽，且其中所述第二鰭結(jié)構(gòu)包括從所述襯底突出的第二基礎(chǔ)鰭。

根據(jù)再一個示例性實施例的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；第一鰭結(jié)構(gòu)及第二鰭結(jié)構(gòu)，從所述襯底突出并在第一方向上延伸，且在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開；以及第一溝槽，將所述第一鰭結(jié)構(gòu)與所述第二鰭結(jié)構(gòu)彼此間隔開，其中所述第一鰭結(jié)構(gòu)包括從所述襯底突出的第一基礎(chǔ)鰭、從所述第一基礎(chǔ)鰭突出并在所述第二方向上彼此間隔開的第一鰭與第二鰭以及將所述第一鰭與所述第二鰭彼此間隔開的第二溝槽，其中所述第二鰭結(jié)構(gòu)包括從所述襯底突出的第二基礎(chǔ)鰭、從所述第二基礎(chǔ)鰭突出的第三鰭及與第二溝槽一起界定所述第三鰭的第三溝槽，且其中所述第三溝槽形成在所述第二基礎(chǔ)鰭上。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)闡述本公開的示例性實施例，對所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說本公開的以上及其它目標(biāo)、特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更顯而易見，在附圖中：

圖1是為解釋根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件而提供的布局圖。

圖2是沿圖1所示線A-A'截取的剖視圖。

圖3是沿圖1所示線B-B'截取的剖視圖。