[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010568972.6
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN111769111B
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹益旺;童宇誠;黃永泰;李甫哲;劉安淇;郭明峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:

襯底；

兩相鄰的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方；以及

第一電介質(zhì)層與第二電介質(zhì)層位于兩相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)之間，其中所述第二電介質(zhì)層位于所述第一電介質(zhì)層上，所述第一電介質(zhì)層的最底部高于所述柵極結(jié)構(gòu)的最底部，且所述第二電介質(zhì)層底部有一第一凹陷部以及一第二凹陷部，其中所述第二凹陷部位于所述第一凹陷部內(nèi)且所述第二凹陷部的寬度小于所述第一凹陷部的寬度，所述第二凹陷部低于所述第一凹陷部，且包含有至少一空孔位于所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層之間的所述第二凹陷部中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述襯底中更包含有復(fù)數(shù)個(gè)淺溝渠隔離，其中兩相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述淺溝渠隔離上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述第一凹陷部以及所述第二凹陷部位于所述淺溝渠隔離上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述襯底中更包含有復(fù)數(shù)個(gè)主動(dòng)區(qū)，位于所述淺溝渠隔離旁。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述第一凹陷部以及所述第二凹陷部均位于所述主動(dòng)區(qū)上。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述主動(dòng)區(qū)包含有一鰭狀結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述第二電介質(zhì)層包含有一凹陷頂面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述第二凹陷部的材質(zhì)與所述第一凹陷部的材質(zhì)不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述第二凹陷部為圓弧形或矩形。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述柵極結(jié)構(gòu)是導(dǎo)電層與柵極遮蔽層的堆疊結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中所述第一電介質(zhì)層具有U型剖面結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，?其中所述第二電介質(zhì)層位于具有所述U型剖面結(jié)構(gòu)的所述第一電介質(zhì)層上。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，?其中部分所述第二電介質(zhì)層位于兩相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)上方。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),?其特征在于，其中部分所述第二電介質(zhì)層的最底部高過于所述柵極結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電層的最頂部。