[發(fā)明專利]一種星載固態(tài)存儲(chǔ)器及邊記邊擦的數(shù)據(jù)處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010568535.4
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN111897766B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵明強(qiáng);郭偉;王麗麗;王琳;吳鵬超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安微電子技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): G06F15/78
• 分類號(hào): G06F15/78;G11C16/16
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 朱海臨

1.一種星載固態(tài)存儲(chǔ)器，其特征在于，包括FPGA(1)和A個(gè)FLASH芯片(2)，所述FPGA(1)用于對(duì)FLASH芯片(2)進(jìn)行讀寫操作和擦除操作，A個(gè)FLASH芯片(2)為并行級(jí)聯(lián)；

每一個(gè)FLASH芯片(2)內(nèi)部封裝有B個(gè)并聯(lián)的基片(3)，B個(gè)并聯(lián)的基片(3)共用一個(gè)I/O口；每一個(gè)基片(3)內(nèi)部封裝有兩個(gè)并聯(lián)的子基片(4)，兩個(gè)子基片(4)共用一個(gè)對(duì)外管腳；

星載固態(tài)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理方法為：

步驟1，F(xiàn)PGA(1)同時(shí)對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第1個(gè)子基片(4)進(jìn)行寫操作時(shí)，對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第1+M個(gè)子基片(4)進(jìn)行擦除操作；

步驟2，F(xiàn)PGA(1)同時(shí)對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第2個(gè)子基片(4)進(jìn)行寫操作時(shí)，對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第2+M個(gè)子基片(4)進(jìn)行擦除操作；

步驟3，F(xiàn)PGA(1)對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第N個(gè)子基片(4)進(jìn)行寫操作時(shí)，對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第N+M個(gè)子基片(4)進(jìn)行擦除操作，當(dāng)N+M大于2B時(shí)，擦除的為第N+M-2B個(gè)子基片(4)；其中，N≤2B，M為寫入操作的子基片(4)與擦除操作的子基片(4)之間的間隔數(shù)量；

M∈[M_min,M_max](1)其中M_min、M_max分別為滿足記錄速率條件的M最小值與最大值；

步驟4，重復(fù)步驟3，至每一個(gè)FLASH芯片(2)中所有的子基片(4)完成寫操作；

步驟5，重復(fù)步驟1-步驟4，至存儲(chǔ)結(jié)束。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種星載固態(tài)存儲(chǔ)器，其特征在于，一個(gè)基片(3)中通過塊地址區(qū)分兩個(gè)子基片(4)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種星載固態(tài)存儲(chǔ)器，其特征在于，每一個(gè)子基片(4)中包含4096個(gè)塊，每一塊中包含64頁。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種星載固態(tài)存儲(chǔ)器，其特征在于，B個(gè)并聯(lián)的基片(3)中，每一個(gè)基片(3)具有獨(dú)立的片選信號(hào)和讀寫信號(hào)。

5.一種基于權(quán)利要求1所述星載固態(tài)存儲(chǔ)器的邊記邊擦的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，F(xiàn)PGA(1)同時(shí)對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第1個(gè)子基片(4)進(jìn)行寫操作時(shí)，對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第1+M個(gè)子基片(4)進(jìn)行擦除操作；

步驟2，F(xiàn)PGA(1)同時(shí)對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第2個(gè)子基片(4)進(jìn)行寫操作時(shí)，對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第2+M個(gè)子基片(4)進(jìn)行擦除操作；

步驟3，F(xiàn)PGA(1)對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第N個(gè)子基片(4)進(jìn)行寫操作時(shí)，對(duì)每一個(gè)FLASH芯片(2)的第N+M個(gè)子基片(4)進(jìn)行擦除操作，當(dāng)N+M大于2B時(shí)，擦除的為第N+M-2B個(gè)子基片(4)；其中，N≤2B，M為寫入操作的子基片(4)與擦除操作的子基片(4)之間的間隔數(shù)量；

M∈[M_min,M_max](1)其中M_min、M_max分別為滿足記錄速率條件的M最小值與最大值；

步驟4，重復(fù)步驟3，至每一個(gè)FLASH芯片(2)中所有的子基片(4)完成寫操作；

步驟5，重復(fù)步驟1-步驟4，至存儲(chǔ)結(jié)束。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的邊記邊擦的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述寫操作的過程為：

(1)給一個(gè)子基片(4)發(fā)送寫操作指令字與地址；

(2)給所述子基片(4)發(fā)送2KB數(shù)據(jù)；

(3)給所述子基片(4)發(fā)送寫操作結(jié)束指令字；

(4)所述子基片(4)進(jìn)入編程階段，2KB數(shù)據(jù)寫入子基片(4)中。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的邊記邊擦的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述擦除操作的過程為：

(1)給一個(gè)子基片(4)發(fā)送擦除操作指令字與擦除地址；

(2)延時(shí)。