[發(fā)明專利]一種固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法、系統(tǒng)及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010567750.2 | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN111723411A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王鑫 | 申請(專利權(quán))人: | 浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F21/79 | 分類號: | G06F21/79;G06F11/07 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 侯珊 |
| 地址: | 250101 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 固態(tài) 硬盤 異常 下電時寫 緩存 處理 方法 系統(tǒng) 裝置 | ||
1.一種固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法,其特征在于,包括:
在接收到異常下電中斷信號后,根據(jù)系統(tǒng)寫緩存的狀態(tài)確定數(shù)據(jù)未完成寫入到TLC的目標(biāo)寫緩存;
將所述目標(biāo)寫緩存的緩存信息及待刷寫數(shù)據(jù)均保存到預(yù)留SLC block中;
在異常下電后接收到上電信號時,將所述預(yù)留SLC block保存的待刷寫數(shù)據(jù)恢復(fù)至對應(yīng)的寫緩存中,并根據(jù)寫緩存信息將寫緩存中未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)繼續(xù)刷寫到TLC中。
2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法,其特征在于,將所述目標(biāo)寫緩存的緩存信息及待刷寫數(shù)據(jù)均保存到預(yù)留SLC block中的過程,包括:
將所述目標(biāo)寫緩存的緩存信息保存到預(yù)留緩存空間中,并將所述預(yù)留緩存空間中的寫緩存信息刷寫到預(yù)留SLC block的第一block中;
將所述目標(biāo)寫緩存的待刷寫數(shù)據(jù)保存到預(yù)留緩存空間中,并將所述預(yù)留緩存空間中的待刷寫數(shù)據(jù)刷寫到所述預(yù)留SLC block的第二block中。
3.如權(quán)利要求2所述的固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法,其特征在于,將所述目標(biāo)寫緩存的緩存信息保存到預(yù)留緩存空間中的過程,包括:
將所述目標(biāo)寫緩存的緩存信息以元數(shù)據(jù)的形式保存到預(yù)留緩存空間中。
4.如權(quán)利要求2所述的固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法,其特征在于,所述目標(biāo)寫緩存的緩存信息包括所述目標(biāo)寫緩存即將寫入NAND FLASH的物理地址、所述目標(biāo)寫緩存的parity物理塊、壞塊表、code_rate。
5.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法,其特征在于,在將所述目標(biāo)寫緩存的緩存信息及待刷寫數(shù)據(jù)均保存到預(yù)留SLC block中的同時,所述處理方法還包括:
基于系統(tǒng)寫緩存的當(dāng)前寫入完成情況更新用于表征寫緩存的寫入完成情況的位圖文件;
相應(yīng)的,根據(jù)寫緩存信息將寫緩存中未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)繼續(xù)刷寫到TLC中的過程,包括:
根據(jù)所述位圖文件和寫緩存信息將寫緩存中未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)繼續(xù)刷寫到TLC中。
6.如權(quán)利要求5所述的固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法,其特征在于,所述位圖文件具體為以1表示寫緩存未完成寫入、0表示寫緩存完成寫入的文件。
7.如權(quán)利要求1-6任一項所述的固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法,其特征在于,所述處理方法還包括:
判斷寫緩存中未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)是否已成功刷寫到TLC中;
若是,則確定寫緩存中的待刷寫數(shù)據(jù)已落盤保存;
若否,則更換寫緩存中未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)刷寫到TLC中的數(shù)據(jù)塊,并將寫緩存中剩余未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)繼續(xù)刷寫到更換的數(shù)據(jù)塊中,并返回執(zhí)行判斷寫緩存中未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)是否已成功刷寫到TLC中的步驟。
8.如權(quán)利要求1-6任一項所述的固態(tài)硬盤異常下電時寫緩存的處理方法,其特征在于,所述處理方法還包括:
若在寫緩存中未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)繼續(xù)刷寫到TLC的過程中再次異常下電,則將寫緩存中剩余未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)刷寫到備用SLC block中;
在再次異常下電后接收到上電信號時,擦除所述預(yù)留SLC block中的待刷寫數(shù)據(jù),并將所述備用SLC block中的待刷寫數(shù)據(jù)寫入所述預(yù)留SLC block中,以將所述預(yù)留SLC block中的待刷寫數(shù)據(jù)恢復(fù)至對應(yīng)的寫緩存中,并根據(jù)寫緩存信息將寫緩存中剩余未完成寫入的待刷寫數(shù)據(jù)繼續(xù)刷寫到TLC中。
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