[發(fā)明專利]一種硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜、制備方法及其應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010567263.6
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN111697149A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王紅月;魏洋;郭洋陽(yáng);李慧鑫;唐博;王洪強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 西安銘澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61223
• 代理人: 梁靜

1.一種硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將純硫酸和辛胺分別均勻分散于反溶劑中，配制成濃度為1～32mM的A溶液和濃度為2～64mM的B溶液；

將A溶液與B溶液按溶質(zhì)物質(zhì)的量比1:1～1.5混合反應(yīng)，得到硫酸辛胺-反溶劑溶液；

將硫酸辛胺-反溶劑溶液均勻涂覆于鈣鈦礦薄膜表面，靜置3～60s后，即在鈣鈦礦薄膜表面獲得硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，所述反溶劑包括乙酸乙酯、氯苯、氯仿、甲苯、異丙醇中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦薄膜的分子通式為M_y-A_1+zBX_3+z；

其中，0≤y≤1，0≤z≤1.5；

M為小分子添加劑；

A為CH₃NH₃⁺、HC(＝NH)NH₂⁺、Cs⁺、PEA⁺中的一種或多種；

B為Pb²⁺；

X為鹵素離子中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，所述小分子添加劑為5-氨基戊酸或18-冠醚-6。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，所述靜置3～60s后，采用旋涂法去除多余的硫酸辛胺-反溶劑溶液。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，所述旋涂采用高速6000rpm/50s一步旋涂法。

7.一種權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜制備方法制備的硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜。

8.一種硫酸鹽修飾鈣鈦礦發(fā)光二極管，其特征在于，包括從下之上依次疊層設(shè)置的導(dǎo)電襯底，空穴傳輸層，鈣鈦礦發(fā)光層/硫酸鹽修飾層，電子傳輸層，電子注入層/金屬電極層；

所述硫酸鹽修飾層為權(quán)利要求7所述的硫酸鹽修飾鈣鈦礦薄膜。