[發明專利]一種超薄晶圓加工工藝

有效

• 申請號: 202010566930.9
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111599754B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 嚴立巍;李景賢;陳政勛
• 申請（專利權）人: 紹興同芯成集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/683
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 王依

1.一種超薄晶圓加工工藝，其特征在于，具體包括以下步驟：

S1、通過BPSG/PSG CVD在晶圓正面形成ILD層；

S2、蝕刻ILD層形成貫穿ILD層的接通孔；

S3、通過濺射或蒸鍍在接通孔側壁形成Ti/TiN鍍層；

S4、通過W-CVD將鎢填充接通孔，再進行鎢化學機械研磨平坦，除去ILD層表面附著的多余鎢，完成W-Plug的制作；

S5、于ILD層表面涂覆粘接劑，將玻璃載板與晶圓鍵合；

S6、利用研磨及邊緣氣環或保護液蝕刻方式于晶圓背面邊緣形成緩坡或階梯狀晶圓結構，完成背面減薄,然后在減薄晶圓背面植入離子；

S7、將玻璃載板解鍵合，再通過有機溶劑清洗除去粘接劑；

S8、通過爐管或者快速LAMP加熱裝置RTP，將減薄晶圓高溫回火加熱處理，使植入的離子活化，離子與晶圓中的硅原子產生鍵結；

S9、將回火處理后的減薄晶圓正面進行金屬鍍膜、黃光及蝕刻，形成正面金屬圖形及PAD鍵合區；

S10、于減薄晶圓背面制作反面金屬鍍膜；

S11、進行金屬加熱工藝，形成正面及反面的金屬與Si之間的歐姆接觸以降低電阻；

S12、在減薄晶圓上涂布光阻劑，保護切割道以外的區域，使切割道暴露出來，將減薄晶圓固定到切割膜框上，使用鐳射/電漿蝕刻切割道，完成超薄晶圓的切割。

2.根據權利要求1所述的超薄晶圓加工工藝，其特征在于，所述步驟S6中完成背面減薄后晶圓的厚度為40-150um。

3.根據權利要求1所述的超薄晶圓加工工藝，其特征在于，所述步驟S7中玻璃載板解鍵合的方式為鐳射、紫外線UV和加熱的一種。

4.根據權利要求1所述的超薄晶圓加工工藝，其特征在于，所述步驟S8中高溫離子回火加熱處理的溫度＞650℃。