[發(fā)明專利]具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔及應用其的銅箔基板

有效

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• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112118672B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設計）人: 宋云興;李思賢;許纮瑋;高羣祐
• 申請（專利權）人: 金居開發(fā)股份有限公司
• 主分類號: H05K1/09
• 分類號: H05K1/09;H05K1/05;H01B5/14;C25D7/06;C25D3/38
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;付文川

1.一種具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其特征在于，所述進階反轉電解銅箔包括一微粗糙化處理面，其中所述微粗糙化處理面具有多個呈非均勻性分布的銅結晶；

其中，不同數(shù)量的所述銅結晶堆疊在一起以形成各自的銅晶須，不同數(shù)量的所述銅晶須團聚在一起以形成各自的銅結晶團；

其中，在掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述微粗糙化處理面具有至少十個長為250nm且寬為250nm的第一平滑區(qū)域以及至少一個長為500nm且寬為500nm的第二平滑區(qū)域以及至少一個長為1,500nm以上的長島狀微結構，所述第一平滑區(qū)域與所述第二平滑區(qū)域內都不存在所述銅結晶，且所述長島狀微結構中有至少三個所述銅結晶及/或所述銅晶須，其中所述電子顯微鏡照電所對應的面積尺寸約為12.7μm×9.46μm。

2.如權利要求1所述的具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其特征在于，每一個所述銅晶須具有一頂部銅結晶。

3.如權利要求2所述的具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其特征在于，多個所述頂部銅結晶呈錐狀、棒狀及/或球狀。

4.如權利要求1所述的具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙化處理面還具有至少兩個長為1,000nm以上的線條狀無銅區(qū)域。

5.如權利要求1所述的具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙化處理面的表面粗糙度(Rz jis94)小于2.1微米。

6.如權利要求1所述的具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙化處理面還包括多個凸峰以及位于多個所述凸峰之間的多個凹槽，且多個所述銅結晶、多個所述銅晶須與多個所述銅結晶團對應形成于多個所述凸峰上。

7.如權利要求6所述的具有長島狀微結構的進階反轉電解銅箔，其特征在于，每一個所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。

8.一種銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板包括：

一基板；以及

一進階反轉電解銅箔，其設置于所述基板上，且具有一微粗糙化處理面接合于所述基板的一表面，其中所述微粗糙化處理面具有多個呈非均勻性分布的銅結晶；

其中，不同數(shù)量的所述銅結晶堆疊在一起以形成各自的銅晶須，不同數(shù)量的所述銅晶須團聚在一起以形成各自的銅結晶團；

其中，在掃描式電子顯微鏡以35度傾斜角與10,000倍放大倍率的觀察下，所述微粗糙化處理面具有至少十個長為250nm且寬為250nm的第一平滑區(qū)域以及至少一個長為500nm且寬為500nm的第二平滑區(qū)域以及至少一個長為1,500nm以上的長島狀微結構，所述第一平滑區(qū)域與所述第二平滑區(qū)域內都不存在所述銅結晶，且所述長島狀微結構中有至少三個所述銅結晶及/或所述銅晶須，其中所述電子顯微鏡照電所對應的面積尺寸約為12.7μm×9.46μm。

9.如權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，每一個所述銅晶須具有一頂部銅結晶。

10.如權利要求9所述的銅箔基板，其特征在于，多個所述頂部銅結晶呈錐狀、棒狀及/或球狀。

11.如權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，所述微粗糙化處理面還具有至少兩個長為1,000nm以上的線條狀無銅區(qū)域。

12.如權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，所述微粗糙化處理面的表面粗糙度(Rzjis94)小于2.1微米。

13.如權利要求8所述的銅箔基板，其特征在于，所述微粗糙化處理面還包括多個凸峰以及位于多個所述凸峰之間的多個凹槽，且多個所述銅結晶、多個所述銅晶須與多個所述銅結晶團對應形成于多個所述凸峰上。

14.如權利要求13所述的銅箔基板，其特征在于，每一個所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。