[發明專利]從硅樹脂中毒中恢復傳感器的方法、設備和系統

在審

• 申請號: 202010566723.3
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113820449A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 劉玲;魏娜;張福丞
• 申請（專利權）人: 瑞益系統公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉楨;劉茜

1.一種從硅樹脂中毒中恢復氣體感測設備的方法，所述方法包括：

將所述氣體感測設備暴露于預定的氫濃度達氫暴露時間的時段，其中，所述預定的氫濃度破壞在所述氣體感測設備的催化珠上形成的氧化硅鍵；

向所述氣體感測設備提供甲烷濃度達甲烷暴露時間的時段；和

基于所述氣體感測設備對所述甲烷濃度的反應，確定所述氣體感測設備是否滿足預定的校準靈敏度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述氣體感測設備暴露于預定的氫濃度達氫暴露時間的持續時間在其中存在硅樹脂污染源的實例中發生。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預定的氫濃度為從1.8體積%至4體積%的過氧化氫。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氫暴露時間的時段為從10秒至3分鐘。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述氣體感測設備暴露于所述氫濃度之后，所述甲烷濃度被提供給所述氣體感測設備。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述甲烷濃度大于2.5體積%的甲烷。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，權利要求1的每個步驟以規則的間隔重復。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述規則的間隔在1天和1個月之間。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，在其中所述氣體感測設備不滿足所述預定校準靈敏度的實例中，所述方法還包括重復權利要求1的每個步驟。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氣體感測設備是低爆炸水平傳感器。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述氣體感測設備具有從2伏至5伏的電壓。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述氣體感測設備是基于非硅樹脂的低爆炸水平傳感器。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氣體感測設備包括至少部分地由鋁制成的載體。

14.一種配置成從硅樹脂中毒中恢復氣體感測設備的恢復設備，所述恢復設備包括一個或多個氣室和至少一個處理器，所述至少一個處理器被配置成：

將所述氣體感測設備暴露于預定的氫濃度達氫暴露時間的時段，其中，所述預定的氫濃度破壞在所述氣體感測設備的催化珠上形成的氧化硅鍵；

向所述氣體感測設備提供甲烷濃度達甲烷暴露時間的時段；和

基于所述氣體感測設備對所述甲烷濃度的反應，確定所述氣體感測設備是否滿足預定的校準靈敏度。

15.根據權利要求14所述的恢復設備，其中，將所述氣體感測設備暴露于預定的氫濃度達氫暴露時間的持續時間在其中存在硅樹脂污染源的實例中發生。

16.根據權利要求14所述的恢復設備，其中，所述預定的氫濃度為從1.8體積%至4體積%的過氧化氫。

17.根據權利要求14所述的恢復設備，其中，所述氫暴露時間的時段為從10秒至3分鐘。

18.根據權利要求14所述的恢復設備，其中，在所述氣體感測設備暴露于所述氫濃度之后，所述甲烷濃度被提供給所述氣體感測設備。

19.根據權利要求14所述的恢復設備，其中，所述甲烷濃度大于2.5體積%的甲烷。

20.根據權利要求14所述的恢復設備，其中，權利要求1的每個步驟以規則的間隔重復。