[發明專利]一種多光譜發射與接收一體化傳感器以及檢測電路在審
| 申請號: | 202010566613.7 | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN111710753A | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發明(設計)人: | 胡自立;彭紅村;何細雄;王衛國 | 申請(專利權)人: | 深圳成光興光電技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12;H01L31/0203;G01D5/26 |
| 代理公司: | 深圳壹舟知識產權代理事務所(普通合伙) 44331 | 代理人: | 寇闖 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華區福*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光譜 發射 接收 一體化 傳感器 以及 檢測 電路 | ||
本發明提供了一種多光譜發射與接收一體化傳感器以及檢測電路。本發明通過將多顆光發射晶元和光電接收二極管晶元是封裝位于不同空間區域,兩個區域之間有不透光的光線隔離部進行隔離,光線只能通過反射方式進入到接收區域。實現了指定波長光線發射出去經過探測物而反射回來,光電接收二極管晶元將光信號變化轉換為電信號的功能。該傳感器的結構可以根據應用需求,選擇不同的光發射晶元(或光源)組合進行封裝,封裝后的傳感器同時集成了多種光譜的光發射晶元,可以根據不同的應用需求,驅動某一種光譜的光發射晶元發射光線。從而,本發明的傳感器具有較廣的應用范圍。
技術領域
本發明屬于反射式一體化光電傳感器領域,尤其涉及一種多光譜發射與接收一體化傳感器以及檢測電路。
背景技術
一體化光電傳感器將發射光線的光源與接收光線的光源封裝成一體。目前的一體化光電傳感器內部只設置有單一光譜的光源,傳感器受其發射光譜的限制,只能應用于與該單一光譜相適應的場合,適用范圍較窄。
為此,有必要研發一種具有多光譜發射與接收功能的傳感器。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種多光譜發射與接收一體化傳感器以及檢測電路,旨在解決現有的一體化光電傳感器,由于發射的光譜單一,導致應用范圍較窄的問題。
本發明是這樣實現的,一種多光譜發射與接收一體化傳感器,包括框架,所述框架上設置有發射區域以及接收區域,所述發射區域內設置有不同光譜的多顆光發射晶元,所述接收區域內設置有光電接收二極管晶元,所述框架的底面設置有多個第一焊盤以及一個第二焊盤,所述多顆光發射晶元分別與各自對應的第一焊盤電連接,所述光電接收二極管晶元與所述第二焊盤電連接;所述發射區域以及接收區域之間設置有一凸起的光線隔離部,所述光線隔離部為不透光材料,或其外表面涂覆有不透光材料。
進一步的,所述框架上開設有兩個分隔的第一凹槽以及第二凹槽,所述發射區域位于所述第一凹槽的底部,所述接收區域位于所述第二凹槽的底部。
進一步的,所述第一凹槽的槽壁以及第二凹槽的槽壁均為不透光材料,或表面涂覆有不透光材料。
進一步的,所述框架的頂部為不透光材料,或表面涂覆有不透光材料。
進一步的,所述第一凹槽的槽壁高度大于所述光發射晶元的高度,所述第二凹槽的槽壁高度大于所述光電接收二極管晶元的高度。
進一步的,所述第一凹槽內填充有透明環氧膠。
進一步的,所述第二凹槽內填充有透明環氧膠或選擇性透光環氧膠;其中,所述選擇性透光環氧膠只透波段在400~700nm之間光線,或者只透波長800nm以上波段光線。
進一步的,所述光電接收二極管晶元感應接收的光線的波長范圍為400nm~1100nm。
進一步的,所述發射區域為鋪設在第一凹槽底部的金屬層,所述接收區域為鋪設在第二凹槽底部的金屬層;每一光發射晶元均通過引出一條第一導線與位于框架底面的一個第一焊盤電連接,該光電接收二極管晶元通過引出一條第二導線與框架底面的第二焊盤電連接。
本發明為解決上述技術問題,還提供了一種檢測電路,包括控制單元以及上述任意一項的多光譜發射與接收一體化傳感器,所述控制單元與所述多顆光發射晶元引出的導線電連接,所述控制單元能根據其設定的應用需求單獨逐一驅動不同的光發射晶元發出光線。
本發明與現有技術相比,有益效果在于:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳成光興光電技術股份有限公司,未經深圳成光興光電技術股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010566613.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





