[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號: | 202010566601.4 | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN112134474A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 宮崎利裕 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H02M7/155 | 分類號: | H02M7/155;H02M1/32;H02M1/42 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 李輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,包括:
整流器電路,對AC輸入電壓進行整流;
過零檢測電路,檢測所述AC輸入電壓的過零;以及
控制電路,在通過所述過零檢測電路所檢測到的所述過零、以及預定相位角所確定的定時導通所述整流器電路,
其中,所述預定相位角被設置為使得所述整流器電路的輸出電壓逐漸增加。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,所述控制電路包括過零預測電路,所述過零預測電路根據所述過零檢測電路所檢測到的所述過零來預測下一個過零定時,并且導通所述整流器電路的所述定時由預測到的所述下一個過零定時和所述預定相位角確定。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其中,所述相位角被設置為逐漸增加。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,進一步包括:
第一輸入端子和第二輸入端子,用于輸入所述AC輸入電壓;以及
第一輸出端子和第二輸出端子,
其中,所述整流器電路包括第一開關元件和第二開關元件、以及第一晶閘管和第二晶閘管,
其中,所述第一開關元件設置在所述第一輸入端子與所述第一輸出端子之間,
其中,所述第二開關元件設置在所述第一輸入端子與所述第二輸出端子之間,
其中,所述第一晶閘管設置在所述第二輸入端子與所述第一輸出端子之間,
其中,所述第二晶閘管設置在所述第二輸入端子與所述第二輸出端子之間,并且
其中,所述控制電路控制所述第一晶閘管和所述第二晶閘管的導通。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置,
其中,線圈設置在所述第一輸入端子與所述第一開關元件和所述第二開關元件之間,并且
其中,電容器設置在所述第一輸出端子與所述第二輸出端子之間。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中,當所述相位角達到預定值時,所述控制電路通過控制所述第一開關元件和所述第二開關元件來執行功率因數校正。
7.根據權利要求3所述的半導體裝置,進一步包括:
第一輸入端子和第二輸入端子,用于輸入所述AC輸入電壓;以及
第一輸出端子和第二輸出端子,
其中,所述整流器電路包括第一二極管和第二二極管、以及第三晶閘管和第四晶閘管,
其中,所述第一二極管設置在所述第一輸入端子與所述第一輸出端子之間,
其中,所述第二二極管設置在所述第二輸入端子與所述第一輸出端子之間,
其中,所述第三晶閘管設置在所述第一輸入端子與所述第二輸出端子之間,
其中,所述第四晶閘管設置在所述第二輸入端子與所述第二輸出端子之間,
其中,所述控制電路控制所述第三晶閘管和所述第四晶閘管的導通。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置,
其中,第二線圈和第三二極管串聯布置在所述第一二極管和所述第二二極管與所述第一輸出端子之間,
其中,第三開關元件設置在所述第二線圈和所述第三二極管的連接點與所述第二輸出端子之間,并且
其中,所述電容器設置在所述第一輸出端子與所述第二輸出端子之間。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置,其中,當所述相位角達到預定值時,所述控制電路通過控制所述第三晶閘管和所述第四晶閘管、以及所述第三開關元件來執行功率因數校正。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置,
其中,第三線圈和第四二極管進一步串聯布置在所述第一二極管和所述第二二極管與所述第一輸出端子之間,并且
其中,第四開關元件設置在所述第三線圈和所述第四二極管的連接點與所述第二輸出端子之間。
11.根據權利要求10所述的半導體裝置,其中,當所述相位角達到預定值時,所述控制電路通過控制所述第三晶閘管和所述第四晶閘管以及所述第三開關元件和所述第四開關元件來執行功率因數校正。
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