[發明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010566417.X | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN111653585A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 鐘莉;查國偉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G02F1/1335;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,所述顯示面板包括第一顯示區,所述顯示面板包括:多個第一像素單元,多個所述第一像素單元位于所述第一顯示區內,每個所述第一像素單元包括透光區和與所述透光區相鄰設置的發光器件;第一基板,所述第一基板包括位于所述第一顯示區內的第一部分,所述第一部分包括第一驅動電路以及位于所述第一驅動電路之上的電連接線;其中,所述發光器件安裝于所述第一部分,所述發光器件包括背離所述第一驅動電路的電極,所述電極通過所述電連接線與所述第一驅動電路電性連接,以使所述顯示面板實現屏下傳感技術與光學顯示在空間上的重合,降低所述顯示面板的厚度。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
高屏占比顯示裝置因具有更窄的屏幕邊框、更大的顯示面積,可以為消費者帶來更好的體驗,成為顯示領域的研究重點。但現有的全面屏顯示裝置由于屏下傳感技術與光學顯示無法在空間上重合,使得顯示裝置在設置傳感器的區域仍不能實現顯示;此外,為實現屏下傳感技術,顯示裝置的厚度會受到一定影響,不利于用戶的體驗。因此,如何實現顯示裝置真正意義上的全屏顯示,并減小顯示裝置的厚度成為研究的熱點問題。
發明內容
本申請實施例提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,可以解決屏下傳感技術與光學顯示無法在空間上重合,顯示裝置較厚的問題。
本申請實施例提供一種顯示面板,包括第一顯示區,所述顯示面板包括:
多個第一像素單元,多個所述第一像素單元位于所述第一顯示區內,每個所述第一像素單元包括透光區和與所述透光區相鄰設置的發光器件;
第一基板,所述第一基板包括位于所述第一顯示區內的第一部分,所述第一部分包括第一驅動電路以及位于所述第一驅動電路之上的電連接線;
其中,所述發光器件安裝于所述第一部分,所述發光器件包括背離所述第一驅動電路的電極,所述電極通過所述電連接線與所述第一驅動電路電性連接。
在一些實施例中,所述發光器件為自發光顯示器件。
在一些實施例中,所述發光器件包括次毫米發光二極管或微型發光二極管中的至少一種。
在一些實施例中,所述發光器件還包括安裝于所述第一基板的主體,所述電極自所述主體延伸而出,所述電連接線沿所述主體的表面延伸。
在一些實施例中,所述電極包括自所述主體延伸而出的第一電極和第二電極;所述電連接線包括第一線和第二線,所述第一線電性連接所述第一電極和所述第一驅動電路,所述第一線沿所述主體的表面延伸,所述第二線電性連接所述第二電極和所述第一驅動電路,所述第二線沿所述主體的表面延伸。
在一些實施例中,所述電連接線的制備材料包括Ti、Al、Mo、ITO中的至少一種。
在一些實施例中,所述電連接線的截面尺寸為大于或等于100納米且小于或等于1000納米。
在一些實施例中,所述顯示面板還包括與所述第一顯示區相鄰設置的第二顯示區,所述顯示面板還包括位于所述第二顯示區內的多個第二像素單元,多個所述第二像素單元的發光方式與多個所述第一像素單元的發光方式不同。
在一些實施例中,每一所述第二像素單元為液晶顯示像素單元。
在一些實施例中,所述第一基板還包括位于所述第二顯示區內的第二部分;所述第二部分包括第二驅動電路,所述第二驅動電路用于驅動多個所述第二像素單元。
在一些實施例中,所述電連接線的材料與所述第二驅動電路中的導電層同層設置且材料相同。
在一些實施例中,所述導電層包括像素電極,所述電連接線與所述像素電極同層設置且材料相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





