[發明專利]一種巨量轉移裝置及轉移方法

有效

• 申請號: 202010566309.2
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112967976B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 王斌;許時淵;范春林;汪慶
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 溫宏梅

1.一種巨量轉移裝置，其特征在于，所述巨量轉移裝置包括：

升降機構、轉移基板、壓電結構以及電流監測器；

所述升降機構與所述轉移基板相固定；

所述轉移基板背離所述升降機構的一側表面上固定有至少一個所述壓電結構；

所述電流監測器的數量與所述壓電結構的數量相等，每個所述電流監測器與對應的所述壓電結構電連接，所述壓電結構包括壓電下電極層，所述壓電下電極層上依次層疊有壓電保護層和壓電黏貼層，所述電流監測器存儲有預設的第一電流閾值，所述預設的第一電流閾值為壓電黏貼與LED芯片粘附達到的最佳黏結力時電流差對應的電流閾值；

一個所述升降機構對位一個所述壓電結構；

一個所述升降機構在所述轉移基板上的正投影區域與一個所述壓電結構在所述轉移基板上的正投影區域相重合。

2.根據權利要求1所述的巨量轉移裝置，其特征在于，所述壓電結構包括壓電上電極層、壓電下電極層以及壓電晶體層，所述壓電晶體層位于所述壓電上電極層和所述壓電下電極層之間。

3.根據權利要求2所述的巨量轉移裝置，其特征在于，所述巨量轉移裝置還包括用于吸附LED芯片的壓電黏貼層和壓電保護層，所述壓電下電極層上依次層疊有所述壓電保護層和所述壓電黏貼層。

4.根據權利要求2所述的巨量轉移裝置，其特征在于，所述電流監測器的一端連接所述壓電上電極層，所述電流監測器的另一端連接所述壓電下電極層，所述電流監測器實時獲取電流值。

5.根據權利要求4所述的巨量轉移裝置，其特征在于，所述巨量轉移裝置還包括：

放大器，所述放大器的一端與所述壓電結構連接，所述放大器的另一端與所述電流監測器連接，所述放大器用于放大電路中的電流。

6.根據權利要求1所述的巨量轉移裝置，其特征在于，

一個所述升降機構對位多個所述壓電結構；

一個所述升降機構在所述轉移基板上的正投影區域與多個所述壓電結構在所述轉移基板上的正投影區域相重合。

7.一種轉移方法，其特征在于，所述轉移方法包括：

提供一暫存基板，所述暫存基板上設置有多個LED芯片；

提供一巨量轉移裝置，所述巨量轉移裝置根據所述電流監測器所監測到的所述壓電結構反饋的電流值將多個所述LED芯片轉移至顯示背板，所述壓電結構包括壓電下電極層，所述壓電下電極層上依次層疊有所述壓電保護層和所述壓電黏貼層，所述電流監測器存儲有預設的第一電流閾值，所述預設的第一電流閾值為所述壓電黏貼與所述LED芯片粘附達到的最佳黏結力時電流差對應的電流閾值；

一個所述升降機構對位一個所述壓電結構；

一個所述升降機構在所述轉移基板上的正投影區域與一個所述壓電結構在所述轉移基板上的正投影區域相重合；

其中，所述巨量轉移裝置為如權利要求1-6任一項所述的巨量轉移裝置。

8.根據權利要求7所述的轉移方法，其特征在于，所述巨量轉移裝置根據所述電流監測器所監測到的所述壓電結構反饋的電流值將多個所述LED芯片轉移至顯示背板具體包括：

所述巨量轉移裝置的每個壓電黏貼層對位所述暫存基板上的一個LED芯片；

所述升降機構帶動所述壓電結構向靠近所述暫存基板方向運動，獲取每個所述電流監測器所監測到的第一電流值；

當每個所述第一電流值均在第一電流閾值范圍內時，通過激光剝離工藝分離所述LED芯片與所述暫存基板，使得所述巨量轉移裝置吸附所述LED芯片后移動至所述顯示背板上方，并將所述LED芯片上的LED電極對位所述顯示背板上的顯示背板電極；

所述升降機構帶動所述壓電結構向靠近所述顯示背板方向運動，獲取每個所述電流監測器所監測到的第二電流值；

當每個所述第二電流值均在第二電流閾值范圍內時，所述巨量轉移裝置將所述LED芯片轉移至顯示背板，并通過鍵合工藝將所述LED芯片與所述顯示背板固定。