[發明專利]加熱裝置、加熱方法以及基板處理裝置在審
| 申請號: | 202010566187.7 | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN112153771A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 池田太郎;渡邊直樹;波多野達夫;山本伸彥;鐮田英紀 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H05B6/64 | 分類號: | H05B6/64;H05B6/72 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 裝置 方法 以及 處理 | ||
1.一種加熱裝置,對加熱對象物進行加熱,所述加熱裝置具備:
加熱構件,其包括電磁波吸收體,并且對加熱對象物進行支承;
電磁波照射部,其向所述加熱構件的與支承所述加熱對象物的面相反一側的照射面照射電磁波;以及
控制部,
其中,所述電磁波照射部具有:
電磁波輸出部,其輸出電磁波;以及
天線單元,其構成相控陣天線,
其中,所述天線單元具有多個天線模塊,所述多個天線模塊具有放射電磁波的天線以及調整從所述天線放射出的電磁波的相位的移相器,
所述控制部控制所述多個天線模塊的所述移相器,以使從所述多個天線放射出的電磁波的相位通過干涉而聚集于所述加熱構件的任意的部分,并且所述控制部控制所述多個天線模塊的所述移相器,以使所述電磁波的聚集部分在所述加熱構件的所述照射面處掃描。
2.根據權利要求1所述的加熱裝置,其特征在于,
所述加熱構件由碳系材料構成。
3.根據權利要求1或2所述的加熱裝置,其特征在于,
所述天線為單極天線。
4.根據權利要求3所述的加熱裝置,其特征在于,
所述天線單元還具有導電性的連接構件,該導電性的連接構件用于將分別設置于所述多個天線模塊的所述多個天線中的相鄰的天線進行連接。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的加熱裝置,其特征在于,
所述控制部控制所述聚集部分的掃描速度,以使所述加熱對象成為均勻的溫度分布。
6.根據權利要求1至4中的任一項所述的加熱裝置,其特征在于,
所述控制部進行控制,以使所述聚集部分的掃描速度變化來使所述加熱對象成為指定的溫度分布。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的加熱裝置,其特征在于,
所述加熱對象為基板。
8.一種加熱方法,用于對加熱對象物進行加熱,所述加熱方法包括以下工序:
使所述加熱對象物支承于包括電磁波吸收體的加熱構件;
向具備多個具有天線和移相器的天線模塊的、構成相控陣天線的天線單元供給電磁波來從所述天線放射電磁波,其中,所述天線放射電磁波,所述移相器調整從所述天線放射出的電磁波的相位;以及
控制所述多個天線模塊的所述移相器,以使從所述多個天線放射出的電磁波的相位通過干涉聚集于所述加熱構件的任意的部分,并且控制所述多個天線模塊的所述移相器,以使所述電磁波的聚集部分在所述加熱構件的照射面處掃描。
9.根據權利要求8所述的加熱方法,其特征在于,
所述加熱構件由碳系材料構成。
10.根據權利要求8或9所述的加熱方法,其特征在于,
所述天線為單極天線。
11.根據權利要求10所述的加熱方法,其特征在于,
所述天線單元還具有導電性的連接構件,該導電性的連接構件用于將分別設置于所述多個天線模塊的所述多個天線中的相鄰的天線進行連接。
12.根據權利要求8至11中的任一項所述的加熱方法,其特征在于,
控制所述聚集部分的掃描速度,以使所述加熱對象成為均勻的溫度分布。
13.根據權利要求8至11中的任一項所述的加熱方法,其特征在于,
進行控制,以使所述聚集部分的掃描速度變化來使所述加熱對象成為指定的溫度分布。
14.根據權利要求8至13中的任一項所述的加熱方法,其特征在于,
所述加熱對象為基板。
15.一種基板處理裝置,對基板進行加熱并且對所述基板實施處理,所述基板處理裝置具有:
腔室,其收容基板;
根據權利要求1至7中的任一項所述的加熱裝置,其對作為加熱對象物的所述基板進行加熱;以及
處理機構,其用于進行所述基板的處理,
其中,通過所述加熱裝置對所述基板進行加熱,并且對所述基板實施處理。
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