[發明專利]基板干燥腔室在審
| 申請號: | 202010565901.0 | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN112117212A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 申熙鏞;李泰京;尹炳文 | 申請(專利權)人: | 無盡電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;王麗 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 干燥 | ||
1.一種使用超臨界流體的基板干燥腔室,包括:
上殼體;
下殼體,所述下殼體與所述上殼體聯接從而能夠打開或關閉;
基板放置板,所述基板放置板與所述下殼體的底表面聯接,并且在所述基板放置板上布置上面形成了有機溶劑的基板;
上供給口,所述上供給口形成為在所述上殼體的中心區域中面對所述基板放置板并提供干燥用超臨界流體的供給路徑;
集成式供給和排出口,所述集成式供給和排出口從所述下殼體的側表面延伸至所述下殼體的中心區域,形成為在所述下殼體的中心區域中面對所述基板放置板,并提供初始加壓用超臨界流體的供給路徑、以及在使用通過所述上供給口供給的所述干燥用超臨界流體執行干燥后的混合流體的排出路徑,在所述混合流體中,所述干燥用超臨界流體中溶解了所述有機溶劑;以及
加熱構件,所述加熱構件安裝在所述基板放置板中并在供給所述初始加壓用超臨界流體時和排出所述混合流體時運行,以加熱所述初始加壓用超臨界流體和所述混合流體。
2.根據權利要求1所述的基板干燥腔室,其中,所述加熱構件持續運行供給所述初始加壓用超臨界流體所持續的初始加壓時間,以將所述初始加壓用超臨界流體的溫度調節為高于或等于臨界點。
3.根據權利要求1所述的基板干燥腔室,其中,所述加熱構件持續運行排出所述混合流體所持續的排出時間,以補償由于在排出所述混合流體的過程中產生的壓降引起的絕熱膨脹所造成的溫度下降,并將包括在所述混合流體中的所述干燥用超臨界流體的溫度調節為高于或等于臨界點。
4.根據權利要求1所述的基板干燥腔室,其中,所述集成式供給和排出口包括:
公共管線,所述公共管線形成為從所述下殼體的所述側表面延伸至所述下殼體的所述中心區域,和
公共口,所述公共口形成為在所述下殼體的所述中心區域中與所述公共管線連通并面對所述基板放置板。
5.根據權利要求4所述的基板干燥腔室,其中,所述初始加壓用超臨界流體通過所述公共管線和所述公共口被供給到干燥空間,所述干燥空間由所述上殼體和所述下殼體密封以與外部隔絕,并且
其中所述混合流體通過所述公共口和所述公共管線從所述干燥空間被排放到外部,在所述混合流體中,所述干燥用超臨界流體中溶解了所述有機溶劑。
6.根據權利要求1所述的基板干燥腔室,還包括密封部,所述密封部設置在所述下殼體的聯接表面和所述上殼體的聯接表面之間。
7.根據權利要求6所述的基板干燥腔室,其中,所述基板布置在所述基板放置板上從而位于比所述下殼體的聯接表面和所述上殼體的聯接表面更高的水平處,
當完成干燥工序并且打開所述下殼體和所述上殼體時,防止設置在所述聯接表面之間的所述密封部周圍的顆粒由于所述基板和所述聯接表面之間的高度差而由于重力被引入到所述基板上。
8.根據權利要求5所述的基板干燥腔室,其中,通過所述公共管線和所述公共口供給的所述初始加壓用超臨界流體被所述基板放置板阻擋,以防止被直接噴射到所述基板上。
9.根據權利要求1所述的基板干燥腔室,還包括基板放置板支撐部,所述基板放置板支撐部的一端與所述下殼體的所述底表面聯接且另一端與所述基板放置板連接,并支撐所述基板放置板以使所述基板放置板與所述下殼體的所述底表面分隔。
10.根據權利要求9所述的基板干燥腔室,其中,由于所述基板放置板支撐部而存在于所述下殼體的所述底表面與所述基板放置板之間的第一分隔空間引導通過所述集成式供給和排出口供給的所述初始加壓用超臨界流體沿著所述基板放置板的下表面移動并逐漸擴散到布置所述基板的處理區域內。
11.根據權利要求1所述的基板干燥腔室,還包括基板支撐部,所述基板支撐部的一端與所述基板放置板的上表面聯接且另一端與所述基板聯接,并且支撐所述基板以使所述基板與所述基板放置板的所述上表面分隔。
12.根據權利要求11所述的基板干燥腔室,其中,由于所述基板支撐部而存在于所述基板放置板的所述上表面與所述基板之間的第二分隔空間通過使所述基板的下表面暴露于通過所述集成式供給和排出口供給的所述初始加壓用超臨界流體和通過所述上供給口供給的所述干燥用超臨界流體而縮短干燥工序的時間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





