[發明專利]一種薄膜制備方法

在審

• 申請號: 202010565771.0
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN113818006A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 張亞梅;蔡新晨
• 申請（專利權）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/505;C23C16/54
• 代理公司: 北京允天律師事務所 11697
• 代理人: 李建航

1.一種薄膜制備方法，其特征在于，包括：

向第一反應腔和第二反應腔通入第一工藝氣體和第一惰性氣體；所述第一反應腔中放置有第一晶圓，所述第二反應腔中放置有第二晶圓；

對所述第一反應腔和所述第二反應腔中的氣體進行射頻處理，以在所述第一晶圓和所述第二晶圓表面進行第一鍍膜操作；

停止向所述第一反應腔和所述第二反應腔通入第一工藝氣體，以在所述第一晶圓和所述第二晶圓表面進行第二鍍膜操作。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一惰性氣體為He，所述第二鍍膜操作過程中所述第一惰性氣體的流量大于所述第一鍍膜操作過程中所述第一惰性氣體的流量。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二鍍膜操作過程中所述第一惰性氣體的流量超過所述第一鍍膜操作過程中所述第一惰性氣體的流量的范圍為30％～70％。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二鍍膜操作過程中所述第一反應腔的壓強超過所述第一鍍膜操作過程中所述第一反應腔的壓強的0～50％，所述第二鍍膜操作過程中所述第二反應腔的壓強超過所述第一鍍膜操作過程中所述第二反應腔的壓強的0～50％。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二鍍膜操作的持續時間范圍為2～30s。

6.根據權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，在將所述第一晶圓置入所述第一反應腔中，以及將所述第二晶圓置入所述第二反應腔中之前，所述方法還包括：

向第一反應腔和第二反應腔通入第二工藝氣體和第二惰性氣體，并對所述第一反應腔和所述第二反應腔中的氣體進行射頻處理，以在所述第一反應腔和所述第二反應腔中形成環境膜。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第一反應腔和所述第二反應腔中形成環境膜之后，在將所述第一晶圓置入所述第一反應腔中，以及將所述第二晶圓置入所述第二反應腔中之前，所述方法還包括：

向所述第一反應腔和所述第二反應腔通入第二惰性氣體，并對所述第一反應腔和所述第二反應腔中的氣體進行射頻處理，以對所述第一反應腔和所述第二反應腔進行清洗。

8.根據權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述第一工藝氣體為烴類化合物，所述第一晶圓和所述第二晶圓表面形成含碳的無定形陶瓷薄膜。

9.根據權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述第一工藝氣體通過第一工藝氣體進氣通道通入所述第一反應腔，通過第二工藝氣體進氣通道通入所述第二反應腔，所述第一工藝氣體進氣通道和所述第二工藝氣體的進氣通道具有一致的結構和尺寸；所述第一惰性氣體通過第一清洗氣體進氣通道通入所述第一反應腔，通過第二清洗氣體進氣通道通入所述第二反應腔，所述第一清洗氣體進氣通道和所述第二清洗氣體進氣通道具有一致的結構和尺寸。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一工藝氣體進氣通道和所述第二工藝氣體進氣通道分別與工藝氣體進氣管路連通，所述第一清洗氣體進氣通道和所述第二清洗氣體進氣通道的進氣口分別與遠程等離子體發生器連通。