[發明專利]一種用于SMD3225低頻段諧振器的制造工藝

在審

• 申請號: 202010565704.9
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111786070A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 王秋貞
• 申請（專利權）人: 江蘇海德頻率科技有限公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00;H03H3/00
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 陳曉華

本發明公開了一種用于SMD3225低頻段諧振器的制造工藝，包括以下步驟：前洗→排片→后洗→鍍膜→點膠→固化→微調→封焊→老化→回流焊→檢漏→測試印字編帶→包裝→入庫，晶片的邊緣采用倒邊工藝。本發明因晶片的邊緣采用倒邊工藝，增大了鍍膜電極的尺寸，減小了鍍膜電極的厚度，以抑制由于晶片中間厚邊緣薄帶來的電極擴散、電氣特性差的問題；定位片外形由原直角改為嵌入型圓角，以增加低頻段倒邊晶片長度與寬度方向的接觸面，增加了低頻段倒邊晶片凸面與上下電極片的接觸面，避免電極擴散；增加了微調離子濺射時的刻蝕面積，三點一線的對稱性更集中；降低了平均阻抗，提高了起振率，降低了能耗。

技術領域

本發明涉及電力電子技術領域，具體涉及一種用于SMD3225低頻段諧振器的制造工藝。

背景技術

目前行業水平對于SMD3225諧振器的主電極設計以長方形或正方形為主，配套以基頻振動方式切割的厚度小于0.10mm長方形的晶片，均有成熟的制造工藝。但對于厚度大于0.10mm的晶片，由于晶片越厚諧振器產品的阻抗越大，晶片的制造工藝增加了滾筒倒邊，晶片外形厚度呈凸面狀，以傳統的電極設計用于厚度在0.10～0.15mm的晶片還勉強可以實現，但對于厚度大于0.15mm晶片用傳統的電極片，在制造過程電極面擴散嚴重，阻抗特性差，靜態電容、動態電容的特性不良率高，嚴重者產品直接短路不起振或絕緣不良。因此，目前按傳統電極片設計的SMD3225/11.2896M以下低頻段諧振器產品，成本高、電氣特性差、生產效率低，產品應用領域窄，市場占有量低。本發明SMD3225低頻段諧振器的電極片設計正是為了解決這一技術難點。

發明內容

本發明為了克服上述的不足，提供一種用于SMD3225低頻段諧振器的制造工藝。

本發明通過以下技術方案來實現上述目的：

一種用于SMD3225低頻段諧振器的制造工藝，包括以下步驟：

前洗→排片→后洗→鍍膜→點膠→固化→微調→封焊→老化→回流焊→檢漏→測試印字編帶→包裝→入庫；

晶片的邊緣采用倒邊工藝，減小了晶片外周邊緣厚度，能夠有效降低阻抗，保證諧振器的起振率；

在鍍膜步驟中：鍍膜電極片采用倒圓角工藝，且圓角的半徑為0.3mm，鍍膜電極片的長度為1.30～1.45mm，鍍膜電極片的寬度為1.30～1.38mm，鍍膜電極片的厚度為0.10mm，鍍膜電極片與晶片的偏心距離為0.15mm，因低頻段諧振器的晶片倒邊尺寸大，因此設計改變了鍍鏌電極外形，由原矩形設計改為圓角矩形設計，并增大圓角尺寸，設計匹配的鍍膜電極面積，以抑制由于晶片中間厚邊緣薄帶來的電極擴散、電氣特性差的問題；

定位片中的槽位采用嵌入式圓角，槽位的長度為2.10～2.30mm，槽位的寬度為1.50～1.70mm，槽位的深度為0.15mm，定位片外形由原直角改為嵌入型圓角，以增加低頻段倒邊晶片長度與寬度方向的接觸面，增加了低頻段倒邊晶片凸面與上下電極片的接觸面，避免電極擴散；

在微調步驟中：微調板上微調電極片的長度為1.2～1.3mm，微調電極片的寬度為1.0～1.2mm，微調電極片的厚度為0.2mm，微調電極片與晶片的偏心距離為0.2mm，增加了微調離子濺射時的刻蝕面積，三點一線的對稱性更集中。

作為優選，所述晶片的阻抗為70～85Ω，改進前晶片的阻抗均值約140Ω，改進后晶片的阻抗平均值79Ω左右，平均阻抗下降61Ω，下降比例43.57％。靜態電容、動態電容的特性不良率由原11％降為0。不起振與絕緣不良原4％降為0。

作為優選，所述定位片經過氧化鋁砂進行噴砂處理。

作為優選，在前洗步驟中，采用超聲波清洗劑對晶片進行清洗。

作為優選，在固化的步驟中，通過固化爐加熱進行固化，固化爐中的溫區設置：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，轉速為25mm/min。