[發明專利]半導體器件及半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202010565331.5
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112117323A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 樸慧圣;裵珍宇;高榮浩;樸鐘爀;尹普彥;蔣明在
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/02;H01L21/8234
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張曉;韓芳

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

基底，包括單元區域和外圍區域；

單元柵極結構，設置在所述單元區域上；

第一雜質區域和第二雜質區域，在所述單元區域中分別布置在所述單元柵極結構的第一側和第二側上；

位線結構，設置在所述單元柵極結構上并且連接到所述第一雜質區域；

外圍柵極結構，設置在所述外圍區域上；

外圍蓋層，設置在所述外圍區域上，覆蓋所述外圍柵極結構，并且具有與所述位線結構的上端在基本上同一水平處的上表面；以及

單元接觸結構，設置在所述第二雜質區域上，并且具有導電阻擋件和位于所述導電阻擋件上的接觸材料層，其中，所述導電阻擋件覆蓋所述位線結構的所述上端。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述位線結構的所述上端具有與所述外圍蓋層的所述上表面在基本上同一水平處的平坦表面。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述接觸材料層在所述位線結構上形成導電墊。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：導電布線層，設置在所述外圍蓋層上，

其中，所述導電布線層的厚度基本上等于所述導電墊的厚度。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述導電布線層包括與所述單元接觸結構的所述接觸材料層相同的材料。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：外圍層間絕緣層，設置在所述外圍柵極結構周圍，

其中，所述外圍蓋層設置在所述外圍柵極結構和所述外圍層間絕緣層上。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：外圍源區和外圍漏區，在所述外圍區域中分別布置在所述外圍柵極結構的第一側和第二側上。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：外圍接觸結構，連接到所述外圍源區和所述外圍漏區，并且穿過所述外圍層間絕緣層和所述外圍蓋層。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述位線結構包括：導電層；下蓋層，位于所述導電層上；上蓋層，位于所述下蓋層上；以及位線接觸塞，位于所述導電層與所述第一雜質區域之間。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述外圍蓋層包括與所述上蓋層相同的材料。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述外圍柵極結構包括：外圍柵極介電層；外圍柵電極，位于所述外圍柵極介電層上；以及柵極蓋層，位于所述外圍柵電極上，

其中，所述外圍柵電極包括與所述導電層相同的材料，并且所述柵極蓋層包括與所述下蓋層相同的材料。

12.根據權利要求6所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：位線間隔件，設置在所述位線結構的側表面與所述單元接觸結構之間。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：外圍柵極間隔件，設置在所述外圍柵極結構的側表面與所述外圍層間絕緣層之間，

其中，所述外圍柵極間隔件的厚度大于所述位線間隔件的厚度。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述位線間隔件的高度大于所述外圍柵極間隔件的高度。