[發明專利]具有帶有凸起延伸區域的晶體管的設備和形成此類晶體管的方法

在審

• 申請號: 202010565294.8
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112133702A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 劉海濤
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11563;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設備，其包括：

電壓節點；

負載節點；以及

晶體管，所述晶體管連接于所述電壓節點與所述負載節點之間，所述晶體管包括：

電介質，所述電介質覆蓋具有第一導電性類型的半導體；

導體，所述導體覆蓋所述電介質；

第一延伸區域基底，所述第一延伸區域基底形成于所述半導體中并延伸到所述電介質的一個邊緣之外，其中所述第一延伸區域基底具有與所述第一導電性類型不同的第二導電性類型；

第二延伸區域基底，所述第二延伸區域基底形成于所述半導體中并延伸到所述電介質的相反邊緣之外，其中所述第二延伸區域基底具有所述第二導電性類型；

第一延伸區域豎件，所述第一延伸區域豎件形成為覆蓋所述第一延伸區域基底并且具有所述第二導電性類型；

第二延伸區域豎件，所述第二延伸區域豎件形成為覆蓋所述第二延伸區域基底并且具有所述第二導電性類型；

第一源極/漏極區域，所述第一源極/漏極區域形成于所述第一延伸區域豎件中并連接到所述電壓節點，其中所述第一源極/漏極區域具有所述第二導電性類型并且具有比所述第一延伸區域豎件的導電性水平大的導電性水平；以及

第二源極/漏極區域，所述第二源極/漏極區域形成于所述第二延伸區域豎件中并連接到所述負載節點，其中所述第二源極/漏極區域具有所述第二導電性類型并且具有比所述第二延伸區域豎件的導電性水平大的導電性水平。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述半導體包括半導體材料，其中所述第一延伸區域基底包括所述半導體材料和摻雜劑物種，并且其中所述第一延伸區域豎件包括所述半導體材料和所述摻雜劑物種。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述半導體包括第一半導體材料，其中所述第一延伸區域基底包括所述第一半導體材料和摻雜劑物種，并且其中所述第一延伸區域豎件包括不同于所述第一半導體材料的第二半導體材料和所述摻雜劑物種。

4.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一延伸區域豎件的上表面和所述第二延伸區域豎件的上表面位于所述導體的上表面上方。

5.根據權利要求1所述的設備，其中所述晶體管為第一晶體管，所述負載節點為第一負載節點，所述導體為第一導體，并且所述電介質為第一電介質，所述設備進一步包括：

第二負載節點；以及

第二晶體管，所述第二晶體管連接于所述電壓節點與所述第二負載節點之間，所述第二晶體管包括：

第二電介質，所述第二電介質覆蓋所述半導體；

第二導體，所述第二導體覆蓋所述第二電介質；

第三延伸區域基底，所述第三延伸區域基底形成于所述半導體中并延伸到所述第二電介質的一個邊緣之外，其中所述第三延伸區域基底具有所述第二導電性類型；

第三延伸區域豎件，所述第三延伸區域豎件形成為覆蓋所述第三延伸區域基底并且具有所述第二導電性類型；以及

第三源極/漏極區域，所述第三源極/漏極區域形成于所述第三延伸區域豎件中并連接到所述第二負載節點，其中所述第三源極/漏極區域具有所述第二導電性類型并且具有比所述第三延伸區域豎件的導電性水平大的導電性水平；

其中所述第一延伸區域基底延伸到所述第二電介質的相反邊緣之外。